Pregled bibliografske jedinice broj: 3381
Wide Range Temperature Dependence of Polysilicon Electrical Resistance
Wide Range Temperature Dependence of Polysilicon Electrical Resistance // Proceedings of MIPRO "97 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1997. str. 5-8 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 3381 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Wide Range Temperature Dependence of Polysilicon Electrical Resistance
Autori
Grgec, Dalibor ; Biljanović, Petar
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of MIPRO "97
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj ; Ribarić, Slobodan ; Budin, Leo - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 1997, 5-8
Skup
MIPRO "97, 20th International Convention
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 19.05.1997. - 23.05.1997
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
polysilicon resistance; temperature; conduction model; simulation; TCR
Sažetak
Temperature dependence of polysilicon electrical resistance is investigated. Using existing polysilicon electrical conduction models with small modifications, it can be shown that the temperature coefficient of the polysilicon resistance can be positive or negative, depending on processing conditions. Simulation results in the temperature range 200-800 K are presented. Observed trends in simulation results can be satisfactory compared to the measurement results in the range 230-450 K. Instructions for design of polysilicon resistors with emphasis on temperature coefficients of resistance - TCR are given.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
