Pregled bibliografske jedinice broj: 315466
Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET
Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET // Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium / Jones, K. (ur.).
College Park (MD), 2007. (poster, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 315466 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Technological constrains of bulk FinFET structure in comparison with SOI FinFET
Autori
Poljak, Mirko ; Jovanović, Vladimir ; Suligoj, Tomislav
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings of International Semiconductor Device Research Symposium
/ Jones, K. - College Park (MD), 2007
Skup
International Semiconductor Device Research Symposium 2007
Mjesto i datum
Sjedinjene Američke Države, 12.12.2007. - 14.12.2007
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
FinFET; bulk; body-tied; silicon-on-insulator (SOI)
Sažetak
In order to obtain bulk FinFET characteristics that closely match SOI FinFET characteristics, meaning DIBL below 70 mV/V and subthreshold swing below 100mV/dec, source/drain junction depths must be aligned to the bottom of the gate and the fin width of the bulk FinFET must be 20 nm at most assuming the gate length of 50nm. Bulk FinFET characteristics can be improved by reducing S/D junction depth with respect to the bottom of the gate which can be easily accomplished in fabrication.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Koričić, Marko, MZO ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
