Naslov
Origine et perspectives de la haute mobilité dans des structures de LaAlO_3/SrTiO_3
(Origin and prospects of high mobility in LaAlO_3/SrTiO_3 structures)

Autori
Herranz, Gervasi ; Basletić, Mario ; Bibes, Manuel ; Copie, Olivier ; Carretero, Cécile ; Tafra, Emil ; Jacquet, Eric ; Bouzehouane, Karim ; Deranlot, Cyrile ; Hamzić, Amir ; Contour, Jean-Pierre ; Barthélémy, Agnes ; Fert, Albert

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni

Izvornik
11eme Colloque Louis Néel - Couches minces et nanostructures magnétiques / - Écully, 2007

Skup
11eme Colloque Louis Néel - Couches minces et nanostructures magnétiques

Mjesto i datum
Lyon, Francuska, 14.03.2007. - 16.03.2007

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
oxides magnétiques dilués; magnétorésistance; Shubnikov - de Haas; mobilité
(diluted magnetic oxides; magnetoresistance; Shubnikov - de Haas; mobility)

Sažetak
Nous avons examiné les propriétés de magnétotransport de couches minces de LAO sur des substrats de STO(001) terminés TiO_2 déposées dans des pressions dans une large range de pressions (10^-6 -10^-3 mbar). On a observé que seulement les échantillons déposés aux pressions d' oxygene < 10^-5 mbar possedent une haute mobilité, tandis que les échantillons déposés aux pressions supérieures ont des résistances progressivement croissantes. Ce résultat est indicatif du fait que le déficit d' oxygene joue un rôle essentiel dans la conductivité de ces systemes. Pour analyser la dimensionnalité des échantillons avec la haute mobilité (>10^4 cm&sup2 ; /Vs) on a mesuré la magnétorésistance (MR) avec le champ magnétique appliqué dans le plan de l&#8217; échantillon ou parallele au courant dans le plan de l' échantillon. Les deux MR montrent des oscillations de Shubnikov - de Haas (SdH) pour des températures T < 4 K et des champs B > 6 T. Ces oscillations disparaissent progressivement pour T > 1.5 K, comme attendu. L' observation d' oscillations SdH avec la meme fréquence dans les deux configurations exclut absolument la possibilité de confinement des porteurs a l' interface. Les mesures d' effet SdH et d' effet Hall ont permis une mesure plus précise de la taille de l' épaisseur du systeme conducteur: quelques centaines de microns. Cette épaisseur est en accord avec des calculs basés sur les coefficients de diffusion des lacunes d'oxygene déterminés expérimentalement dans des monocristaux de STO. En fait, différents systemes basés sur STO montrent la meme dépendance en température de la mobilité et la résistance que celles des structures LAO/STO déposées &agrave ; basse pression. Ça c'est une forte évidence de l'origine commune de la haute mobilité: le dopage par des lacunes d'oxygene dans le STO, avec des concentrations entre 10^17 et 10^19 cm^-3. Ces résultats ouvrent des perspectives intéressantes pour l'électronique d'oxydes, car ils pourraient etre utilisés pour fabriquer des heterostructures intégrant des oxydes multifonctionnels avec du STO ayant haute mobilité pour des dispositifs électroniques basés entierement sur des oxydes.

Izvorni jezik
Fra

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA