Pregled bibliografske jedinice broj: 285635
Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation
Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation, 2006., doktorska disertacija, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
CROSBI ID: 285635 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Electrically active defects in silicon and germanium induced by radiation
Autori
Capan, Ivana
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija
Fakultet
Prirodoslovno-matematički fakultet
Mjesto
Zagreb
Datum
16.11
Godina
2006
Stranica
153
Mentor
Pivac, Branko
Ključne riječi
silicon; germanium; defects; deep level transient spectroscopy
Sažetak
Aa
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
