Pregled bibliografske jedinice broj: 250432
AFM karakterizacija tankih filmova kositrenog oksida
AFM karakterizacija tankih filmova kositrenog oksida // Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak / Nikola, Radić (ur.).
Koprivnica: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2006. str. 22-23 (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 250432 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
AFM karakterizacija tankih filmova kositrenog oksida
(AFM Characterisation of Thin Films Made of Tin Oxides)
Autori
Krunoslav, Juraić ; Davor, Gracin
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak
/ Nikola, Radić - Koprivnica : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2006, 22-23
Skup
Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak
Mjesto i datum
Koprivnica, Hrvatska, 13.06.2006
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
AFM; tanki film; kositreni oksid
(afm; thin film; tin oxid)
Sažetak
U proizvodnji solarnih ćelija na bazi amorfnog i nanokristaliničnog silicija vrlo često se kao prednji prozirni sloj koristi kositreni oksid nanesen na staklo, te se na njega kao podlogu nanosi aktivni dio solarne ćelije (p-i-n struktura). Osim velike vodljivosti i prozirnosti, te male reflektivnosti, za što veću efikasnost solarne ćelije potrebno je da SnO_x sloj ima i hrapavu površinu, kako bi se svjetlo što pada na ćeliju difuzno raspršilo i tako povećalo put kroz p-i-n strukturu solarne ćelije, a time i ukupnu apsorpciju. Pažljivim izborom uvjeta pri kojima se odvija rast SnO_x sloja može se postići stvaranje takvih polikristaliničnih struktura u sloju na njegovoj površini, koje doprinose difuznom raspršenju svjetla. Međutim, povećanje hrapavosti površine SnO_x sloja preko neke određene vrijednosti negativno utječe na kvalitetu solarne ćelije (smanjuju se napon i efikasnost). Budući da je debljina p sloja redovito manja nego što je hrapavost površine SnO_x sloja, može doći do pucanja p sloja. U praksi se taj negativan utjecaj može smanjiti izlaganjem SnO_x sloja Ar plazmi tijekom određenog vremena, neposredno prije nanošenja silicijskog sloja. Da bi se istražila pozadina ovog efekta, tanki filmovi kositrenog oksida su deponirani APCVD metodom (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) na staklenu podlogu i nakon toga izloženi radiofrekventnom izboju u argonu (10 minuta). Struktura površine SnO_x slojeva istraživana je upotrebom AFM mikroskopa (Atomic Force Microscope) u kontaktnom modu. Početna površina se sastoji od relativno oštrih koničnih struktura, a nakon izlaganja plazmi te konične strukture postaju manje oštre pa je time smanjena i hrapavost površine. Vjerojatno koničan oblik struktura na površini tijekom izlaganja plazmi uzrokuje pojačanje lokalnog polja, što je naročito naglašeno u blizini oštrih šiljaka, što rezultira jačom interakcijom plazme i površine na tim mjestima te promjenom njihovog oblika.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
Napomena
Kontakt adresa: Institut Ruđer Bošković, POB 180, HR-10002 Zagreb email:kjuraic@irb.hr
POVEZANOST RADA