Pregled bibliografske jedinice broj: 225456
NIR-luminescencija Er3+, Ho3+ i Yb3+ u dopiranom Ga2O3
NIR-luminescencija Er3+, Ho3+ i Yb3+ u dopiranom Ga2O3 // XIX Hrvatski skup kemičara i kemijskih inženjera : Knjiga sažetaka / Rapić, Vladimir ; Rogošić, Marko (ur.).
Zagreb: Hrvatsko društvo kemijskih inženjera i tehnologa / Kemija u industriji, 2005. str. 166-166 (predavanje, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 225456 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
NIR-luminescencija Er3+, Ho3+ i Yb3+ u dopiranom
Ga2O3
(NIR luminescence of Er3+, Ho3+ AND Yb3+ in doped
Ga2O3)
Autori
Biljan, Tomislav ; Rončević, Sanda ; Meić, Zlatko ; Jurčić, Kristina
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
XIX Hrvatski skup kemičara i kemijskih inženjera : Knjiga sažetaka
/ Rapić, Vladimir ; Rogošić, Marko - Zagreb : Hrvatsko društvo kemijskih inženjera i tehnologa / Kemija u industriji, 2005, 166-166
ISBN
953-68942-38
Skup
XIX Hrvatski skup kemičara i kemijskih inženjera
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 24.04.2005. - 27.04.2005
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
NIR-luminescencija
(NIR luminescence)
Sažetak
NIR (near-infrared) luminescencija lantanidnih iona u anorganskim i organskim matricama od velike je praktične važnosti, posebice zbog upotrebe u telekomunikacijskoj tehnologiji [1]. Ga2O3 kao nativni oksid GaN ima veliku primjenu u optoelektroničkoj industriji što ga čini vrlo interesantnom matricom za ugradnju lantanidnih iona. Sintezom spaljivanja pripravljen je galijev oksid dopiran s Er3+, Ho3+ i Yb3+. Dobiveni uzorci karakterizirani su rendgenskom difrakcijom praha, te skenirajućom elektronskom mikroskopijom (SEM). Korištenjem FT-Raman spektroskopije ispitana su luminescencijska svojstva ugrađenih lantanidnih iona u NIR području [2]. Analizom rezultata uvrđeno je ugrađivanje Er3+, Ho3+ i Yb3+ u strukturu Ga2O3, te NIR luminescencija ugrađenih iona. Intenzitet luminescencije ovisno o ugrađenom ionu je 10-20 puta veći nego u Y2O3. Kvaliteta i razlučivanje dobivenih luminescencijskih spektara omogućuje analizu cijepanja elektronskih nivoa ugrađenih iona te određivanje kristalografskog mjesta ugradnje iona u strukturu [3]. Kombinacija sinteze spaljivanja i FT-Ramanove spektroskopije za analizu NIR luminescencijskih svojstava ugrađenih lantanidnih iona pruža brz i jednostavan put za pripravu i analizu lantanidima dopiranih matrica.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemija
