Naslov
Određivanje gubitaka i nadomjesne temperature silicija učinskog bipolarnog tranzistora s izoliranom upravljačkom elektrodom
(Estimation of IGBT losses and virtual junction temperature)

Autori
Bahun, Ivan

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
14.06

Godina
2005

Stranica
146

Mentor
Benčić, Zvonko

Ključne riječi
učinski bipolarni tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom; nadomjesna temperatura silicija; prijelazna toplinska impedancija; mjerenje u stvarnom vremenu; zaštita od prekoračenja granične nadomjesne temperature silicija
(IGBT; virtual junction temperature; transient thermal impedance; real time measurement; virtual junction overtemperature protection)

Sažetak
Tema rada je mjerenje nadomjesne temperature silicija IGBT-a u pogonskim uvjetima. Cilj rada je razviti novu metodu mjerenja nadomjesne temperature silicija IGBT-a u pogonskim uvjetima i koja se provodi bez složene mjerne opreme i na potencijalu pobudnog stupnja. Svrha rada je razvoj metode mjerenja primjenjive za zaštitu od previsoke nadomjesne temperature silicija, za limit ovisan o nadomjesnoj temperaturi silicija, te za mjerenje nadomjesne temperature silicija IGBT-a u pogonskim uvjetima u realnom vremenu. Na kraju su prikazane mogućnosti primjene ove nove metode mjerenja nadomjesne temperature silicija IGBT-a. Ova metoda omogućava izvedbu zaštite od previsoke nadomjesne temperature silicija, izvedbu limita ovisnog o nadomjesnoj temperaturi silicija, te mjerenje nadomjesne temperature silicija u pogonskim uvjetima u realnom vremenu. Sve ove mogućnosti mogu bitno utjecati na cijenu, pouzdanost rada, masu i dimenzije pretvarača s učinskim IGBT-ovima.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA