Naslov
O dubini magnezijevog akceptorskog nivoa u galij-nitridu
(On the energy position of the Mg acceptor in GaN)

Autori
B. Šantić

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika : zbornik sažetaka / Radić, Nikola - Zagreb, 2005

Skup
12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika

Mjesto i datum
Trakošćan, Hrvatska, 18.05.2005

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
Mg; GaN; poluvodiči; dopiranje
(GaN; Mg; doping; semiconductros)

Sažetak
Poluvodiči iz tzv.'nitridne' grupe (InN &#8211; GaN &#8211; AlN) su vrlo interesantni materijali za različite primjene. Naročito je istaknuta optoelektronika (izvori svjetla - LD, LED), i elektronika (visokofrekventni tranzistori snage). Usprkos široke primjene, znatan broj fizikalnih problema nije proučen i/ili razjašnjen. Jedna od znatnijih teškoća je dopiranje p-tipa. Za sada se jedino magnezij pokazao kao upotrebljivi akceptor. No mnoga svojstva magnezija nisu sa sigurnošću poznata. Na primjer, u literaturi se dubina Mg-akceptora navodi u rasponu <100meV pa do preko 200meV. Tako široki raspon vrijednosti se ne može lako objasniti nekim od poznatih efekata kao što je npr. utjecaj koncentracije na prividnu dubinu nivoa. U ovom se radu kritički razmatraju metode za određivanje dubine nivoa magnezija, a posebna se pažnja obraća mjerenju Hall-konstante i interpretaciji tih mjerenja. Analizom literaturnih podataka, vlastitih mjerenja te teorijskim modeliranjima određuju se gornja i donja granica za dubinu Mg-nivoa (oko 120-180meV) dok se za druge vrijednosti pokazuje da se radi ili o nepažljivoj interpretaciji ili, vjerojatno, o nekom drugom defektu ili Mg-kompleksu. Procjenjuje se kolika je maksimalna teorijska vodljivost p-tipa vodljivosti, a što je važan parametar za modeliranje u konkretnim aplikacijama, npr. u raznim tanko-slojnim strukturama i kvantnim jamama.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA