Naslov
Observation d une polarisation en spin dans un systeme dilue: l oxyde magnétique La_0.5Sr_0.5TiO_3 dopé au Co
(Observation of the spin polarization in a dilute system: La_0.5Sr_0.5TiO_3 magnetic oxide doped with Co)

Autori
Herranz, Gervasi ; Ranchal, Rocio ; Tafra, Emil ; Basletić, Mario ; Bouzehouane, Karim ; Bibes, Manuel ; Guyard, S. ; Hamzić, Amir ; Pascanut, C. ; Berthet, P. ; Dragoe, N. ; Jacquet, E. ; Maurice, Jean-Luc ; Barthélémy, Agnes ; Contour, Jean-Pierre ; Fert, Albert

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni

Izvornik
Colloque Louis Neel, nanoparticules, nanofils at nanostructures / - Dourdan, 2005

Skup
Colloque Louis Neel, nanoparticules, nanofils at nanostructures

Mjesto i datum
Dourdan, Francuska, 21.09.2005. - 23.09.2005

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
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Ključne riječi
semiconducteurs magnétiques dilués; magnétorésistance tunnel
(diluted magnetic semiconductors; tunnel magnetoresistance)

Sažetak
Nous avons étudié des couches minces de l oxyde métallique La_0.5Sr_0.5TiO_3 (LSTO) dopé avec des ions de Co (avec des concentrations entre 0 et 3%). La croissance des couches a été réalisée par ablation laser. Les couches sont métalliques avec des valeurs de résistivité qui dépendent fortement des conditions de dépôt, notamment de la pression d oxygè ne. Pour la détermination de la polarisation en spin d un tel systeme dilué, des jonctions de taille micronique ou nanométrique LSTO(Co 1, 5%) / STO / Co et LSTO(Co 1, 5%) / LAO / Co ont été réalisées par lithographie optique ou par nanoindentation a l aide d un AFM a pointe conductrice. La magnétorésistance tunnel inverse (TMR) indique la polarisation positive de LSTO(Co) aux deux interfaces. Nous avons pu extrapoler la valeur de polarisation en spin a 70 % pour le LSTO et 12.5% pour le Co a l interface avec LAO (STO).

Izvorni jezik
Fra

Znanstvena područja
Fizika

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