Pregled bibliografske jedinice broj: 194910
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem // 12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika : zbornik sažetaka / Radić, Nikola (ur.).
Zagreb, 2005. str. 28-28 (poster, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 194910 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
(Temperature dependence of defect generation in silicon upon gamma irradiation)
Autori
Kovačević, Ivana ; Pivac, Branko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika : zbornik sažetaka
/ Radić, Nikola - Zagreb, 2005, 28-28
Skup
12. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
Mjesto i datum
Trakošćan, Hrvatska, 18.05.2005
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
silicij; točkasti defekti; zračenje; DLTS
(silicon; point defects; irradiation; DLTS)
Sažetak
Unatoč činjenici da defekti uvedeni zračenjem spadaju u red najzastupljenijih električki aktivnih defekata u siliciju, a njihov utjecaj od presudne je važnosti za rad elektroničkih komponenti, utjecaj temperature tijekom zračenja na uvođenje defekata još uvijek je nerazjašnjen problem. U ovom radu proučavani su električki aktivni defekti u n-tipu silicija dobivenog metodom Czohralskog uvedeni gama zračenjem (doza 50Mrad) pri različitim temperaturama zračenja (50 °C, 100 °C, 150 °C i 350 °C). Ovo je ujedno i prvi put da se temperatura u izvoru gama zračenja na Institutu Ruđer Bošković kontrolira što je zahtjevalo konstrukciju posebnog instrumenta. Uočeno je da uvođenje i termička stabilnost defekata ovise o temperaturi zračenja. Dominantan defekt je VO centar, prisutan u siliciju nakon zračenja i na niskim i na visokim temperaturama.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
