Pregled bibliografske jedinice broj: 16831
Analiza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje
Analiza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje, 1998., magistarski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
CROSBI ID: 16831 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Analiza električkih i tehnoloških karakteristika bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje
(Analysis of electrical and technological characteristics of horizontal current bipolar transistor)
Autori
Suligoj, Tomislav
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, magistarski rad
Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Mjesto
Zagreb
Datum
23.06
Godina
1998
Stranica
72
Mentor
Biljanović, Petar
Ključne riječi
bipolarni tranzistor; numerička simulacija; tehnološki proces; samopodešavanje; međupovršinske zamke
(bipolar transistor; numerical simulation; technological process; self alignment; interface traps)
Sažetak
U radu je prezentiran koncept novog silicijskog bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje (engl. Horizontal Current Bipolar Transistor - HCBT). Tehnološki proces je simuliran pomoću dvodimenzionalnog simulatora, pretpostavljajući pravila projektiranja od 0,25 um/0,1um (rezolucija litografije / tolerancija pomaka maski). U svrhu procjene tehnoloških karakteristika HCBT strukture izvršena je simulacija samopodešavajućeg silicijskog bipolarnog tranzistora (engl. Super-Self Aligned Transistor - SST), pretpostavljajući istu rezoluciju litografije. Oba tranzistora su procesirana tako da imaju identične raspodjele primjesa u aktivnom dijelu tranzistora. Električka simulacija je pokazala da HCBT i SST imaju slične karakteristike, s time da HCBT ima veći serijski otpor baze.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
