Pregled bibliografske jedinice broj: 157190
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem, 2004., magistarski rad, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
CROSBI ID: 157190 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
(Temperature dependent defect production in gamma irradiated silicon)
Autori
Kovačević, Ivana
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, magistarski rad
Fakultet
Prirodoslovno-matematički fakultet
Mjesto
Zagreb
Datum
20.09
Godina
2004
Stranica
81
Mentor
Pivac, Branko
Ključne riječi
silicij; točkasti defekti; zračenje; DLTS
(silicon; point defects; irradiation; DLTS)
Sažetak
Unatoč činjenici da defekti uvedeni zračenjem spadaju u red najzastupljenijih električki aktivnih defekata u siliciju, a njihov utjecaj od presudne je važnosti za rad elektroničkih komponenti, utjecaj temperature tijekom zračenja na uvođenje defekata još uvijek je nerazjašnjen problem. U ovom radu proučavani su električki aktivni defekti u n-tipu silicija dobivenog metodom Czohralskog uvedeni gama zračenjem (doza 50Mrad) pri različitim temperaturama zračenja (77K, 50 °C, 100 °C, 150 °C i 350 °C). Ovo je ujedno i prvi put da se temperatura u izvoru gama zračenja na Institutu Ruđer Bošković kontrolira što je zahtjevalo konstrukciju posebnog instrumenta. Uočeno je da uvođenje i termička stabilnost defekata ovise o temperaturi zračenja. Dominantan defekt je VO centar, prisutan u siliciju nakon zračenja i na niskim i na visokim temperaturama.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
