Pregled bibliografske jedinice broj: 157040
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem // International school on radiation effects in solids
Erice, Italija, 2004. (predavanje, međunarodna recenzija, neobjavljeni rad, ostalo)
CROSBI ID: 157040 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Temperaturna ovisnost uvođenja defekata u siliciju nastalih gama zračenjem
(Temperature-Dependent Defect Production in  -irradiated Silicon)
Autori
Kovačević, Ivana ; Pivac, Branko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, neobjavljeni rad, ostalo
Skup
International school on radiation effects in solids
Mjesto i datum
Erice, Italija, 17.07.2004. - 29.07.2004
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
silicon; defects; irradiation
Sažetak
We present a study on defect sates occurring in n-type (100) Czochralski-grown silicon after a  -irradiation on different temperatures. Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were used to identify the electrical active defects. We have observed a strong decrease in concentration of VO center after a high-temperature irradiation. This may be due to the production of oxygen dimers
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
