Naslov
Razvoj i primjena mikro-IBIC metode za istraživanje elektroničkih svojstava poluvodičkih detektora
(Development and application of micro-IBIC technique in the studies of semiconductor detectors electronic properties)

Autori
Pastuović, Željko

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, magistarski rad

Fakultet
Prirodoslovno-matematički fakultet

Mjesto
Zagreb

Datum
18.06

Godina
2004

Stranica
106

Mentor
Jakšić, Milko

Ključne riječi
ion; mikroproba; IBIC; efikasnost kolekcije naboja; CdZnTe; SiC; silicij; poluvodički detektor; dioda; mobilnost naboja; vrijeme života elektrona/šupljina; elektronsko kočenje; ionizirajuće zračenje
(ion; microprobe; IBIC; charge collection efficiency; CdZnTe; SiC; silicon; semiconductor detector; diode; electron (hole) mobility; electron (hole) lifetime; electronic stopping; ionising radiation)

Sažetak
Metode IBIC i TRIBIC korištene su za određivanje spektroskopskih karakteristika poluvodičkih detektora ionizirajućeg zračenja i izračunavanje parametara koji utječu na transport naboja kroz poluvodič kao što su mobilnost, vrijeme života, difuzijska i driftna duljina nosioca naboja. U slučajevima IBIC mjerenja na diodama izračunata je i širina područja osiromašenja za dani reverzni napon. Ovisno o poluvodičkoj strukturi ili geometriji uzorka, vršena su IBIC odnosno TRIBIC mjerenja u frontalnoj ili lateralnoj geometriji. Upotrebom različitih vrsta i energija iona, koji imaju različitu zaustavnu moć u materijalu, pa time i doseg, pokazana je mogućnost proučavanja različitih transportnih mehanizama nosioca naboja u elektronički različitim dijelovima poluvodičkog elementa. Analizom mjerenih TRIBIC signala (tranzijenata) dobivene su informacije o ukupnom vremenu kolekcije naboja koje u uvjetima niske temperature i slabih električnih polja u području osiromašenja rada poluvodičkog elementa može biti znatno dulje od vremenske konstante uobičajenog spektroskopskog pojačala koje se koristi za detekciju zračenja. Mogućnosti primjene IBIC i TRIBIC metode i bogatstvo informacija koje možemo izračunati iz eksperimentalnih podataka prikazane su u ovom radu na primjerima: a) silicijskih detektorskih p+-n i p-i-n dioda ; b) silicijskoj diodi velike snage ; c) kadmij-telurid i silicij-karbid binarnim i d) kadmij-zink-telurid poluvodičkim detektorima ionizirajućeg zračenja. Sve dobivene informacije mogu biti iskorištene za bolje razumijevanje, optimizaciju i daljnji razvoj poluvodičkih elemenata.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA