Pregled bibliografske jedinice broj: 149460
Improvement of fT vs BVCEO Trade-off by Extrinsic Base Design Optimization
Improvement of fT vs BVCEO Trade-off by Extrinsic Base Design Optimization // Proceedings / MIPRO 2004 / Biljanović, Petar ; Skala, Karolj (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004. str. 45-48 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 149460 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Improvement of fT vs BVCEO Trade-off by Extrinsic Base Design Optimization
Autori
Koričić, Marko ; Biljanović, Petar ; Suligoj, Tomislav
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Proceedings / MIPRO 2004
/ Biljanović, Petar ; Skala, Karolj - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2004, 45-48
Skup
27th International Convention MIPRO 2004
Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 24.05.2004. - 28.05.2004
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
bipolar transistor; collector doping; extrinsic base
Sažetak
In modern bipolar transistors design, high speed and driving current are desired. To meet that requirements, collector doping has to be increased which results in low breakdown voltages, specially BVCEO. This work shows that fT vs BVCEO trade-off can be improved by optimization of the extrinsic base geometry. Results are verified by the simulation of the Horizontal Current Bipolar Transistor (HCBT) electrical characteristics. For structure with extrinsic base depth of 0.25 *m, BVCEO is improved by 23.6 % while fT is decreased by only 5.6 % when extrinsic base width increases from 0.2 to 0.5 *m. *=micro.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
