Pregled bibliografske jedinice broj: 1474
EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ Si
EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ Si // Defects in electronic materials II / Michel, J ; Kennedy, T ; Wada, K ; Thonke, K. (ur.).
Pittsburgh (PA): Materials Research Society, 1997. str. 293-298
CROSBI ID: 1474 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ Si
Autori
Pivac, Branko ; Rakvin, Boris ; Corni, F. ; Tonini, R. ; Ottaviani, G.
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Poglavlja u knjigama, znanstveni
Knjiga
Defects in electronic materials II
Urednik/ci
Michel, J ; Kennedy, T ; Wada, K ; Thonke, K.
Izdavač
Materials Research Society
Grad
Pittsburgh (PA)
Godina
1997
Raspon stranica
293-298
ISBN
1-55899-346-0
Ključne riječi
silicon, hydrogen, ion implantation, defects, EPR
Sažetak
EPR study of defect formation in H implanted and annealed CZ
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Fizika, Kemija
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
