Pregled bibliografske jedinice broj: 1214809
Ab Initio Quantum Transport Simulations of Monolayer GeS Nanoribbons
Ab Initio Quantum Transport Simulations of Monolayer GeS Nanoribbons // Proc. International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2022 / Gamiz, F. ; Medina-Bailón, C. (ur.).
Granada, 2022. str. 1-2 (poster, međunarodna recenzija, prošireni sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 1214809 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Ab Initio Quantum Transport Simulations of Monolayer GeS Nanoribbons
Autori
Matić, Mislav ; Poljak, Mirko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, prošireni sažetak, znanstveni
Izvornik
Proc. International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2022
/ Gamiz, F. ; Medina-Bailón, C. - Granada, 2022, 1-2
Skup
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2022)
Mjesto i datum
Granada, Španjolska, 06.09.2022. - 08.09.2022
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija
Ključne riječi
ab initio, DFT, maximally localized Wannier functions, GeS, germanium monosulfide, nanoribbon, nanostructure, quantum transport, NEGF, Green functions, nonequilibrium
Sažetak
In this work we employ quantum transport (NEGF) and Hamiltonians with orbital resolution (DFT, MLWF) to study the electronic, transport and ballistic device properties of sub-4 nm-wide and ~15 nm-long GeS nanoribbons and GeS MOSFETs.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
HRZZ-UIP-2019-04-3493 - Računalno projektiranje nanotranzistora temeljenih na novim 2D materijalima (CONAN2D) (Poljak, Mirko, HRZZ ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb