Pregled bibliografske jedinice broj: 1096996
Utjecaj Sn i In na kinetiku rasta oksidnih filmova na aluminiju
Utjecaj Sn i In na kinetiku rasta oksidnih filmova na aluminiju, 2009., diplomski rad, preddiplomski, Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu, Split
CROSBI ID: 1096996 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Utjecaj Sn i In na kinetiku rasta oksidnih filmova
na aluminiju
(Influence of Sn and In on the oxide films growth
kinetics on aluminum)
Autori
Tomelić, Milijana
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, preddiplomski
Fakultet
Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu
Mjesto
Split
Datum
23.10
Godina
2009
Stranica
40
Mentor
Gudić, Senka
Ključne riječi
Aluminij ; Al-Sn slitina ; Al-In slitina ; Boratni pufer ; Oksidni film
(Aluminum ; Al-Sn alloy ; Al-In alloy ; borate buffer ; oxide film)
Sažetak
Primjenom cikličke polarizacije i galvanostatske pulnse metode ispitani su formiranje i rast anodnih oksidnih filmova na aluminiju tehničke čistoće te na Al-0.2%Sn i Al-0.1%In slitinama u otopini boratnog pufera (pH 7.8). Ustanovljeno je da se u uvjetima galvanostatske anodizacije rast oksidnih filmova na ispitivanim uzorcima zbiva aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja kroz oksidni film, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale (mehanizam "aproksimacije visokog polja"). Elektrolitički parametri rasta oksida, konstante A i B, kao i ionska vodljivost kroz oksidni sloj opadaju redom: Al Al-Sn Al-In. Određena je jakost električnog polja kroz okside, a dobivene vrijednosti reda veličine MV cm-1 opravdavaju primjenu modela "aproksimacije visokog polja" pri opisivanju rasta oksidnih filmova na Al te na Al-Sn i Al-In slitinama u otopini boratnog pufera.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemijsko inženjerstvo