Pregled bibliografske jedinice broj: 1096981
Mehanizam rasta oksidnih filmova na kositru u uvjetima galvanostatske anodizacije
Mehanizam rasta oksidnih filmova na kositru u uvjetima galvanostatske anodizacije, 2010., diplomski rad, preddiplomski, Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu, Split
CROSBI ID: 1096981 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Mehanizam rasta oksidnih filmova na kositru u
uvjetima galvanostatske anodizacije
(Oxide films growth mechanism on tin under
galvanostatic anodizing conditions)
Autori
Ivančić, Mate
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, preddiplomski
Fakultet
Kemijsko-tehnološki fakultet u Splitu
Mjesto
Split
Datum
13.10
Godina
2010
Stranica
39
Mentor
Gudić, Senka
Ključne riječi
Kositar ; Oksidni film ; Galvanostatska anodizacija ; Aproksimacije visokog polja
(Tin ; oxide film ; galvanostatic anodizing ; high field approximation)
Sažetak
Primjenom potenciodinamičke polarizacijske metode te galvanostatske pulsne metode ispitani su formiranje i rast anodnih oksidnih filmova na kositru u otopini boratnog pufera (pH 7.8) različitih temperatura (25, 35 i 45 oC). U širokom području potencijala (od -0.7 do 1.2 V) kositar se ponaša pasivno te se na njegovoj površini formira stabilni oksidni sloj. Porastom temperature elektrolita područje potencijala u kojem se kositar ponaša pasivno postaje uže. Proces pasivacije kositra započinje nastajanjem Sn(OH)2 ili SnO, dok se stvarno pasivno stanje postiže formiranjem kontinuiranog Sn(OH)4 filma. Pod utjecajem anodne polarizacije dolazi do elektrokemijske pretvorbe hidratiziranog Sn(OH)4 filma u termodinamički stabilniji dehidratizirani oblik, SnO2 ∙ H2O. U uvjetima galvanostaske anodizacije rast oksidnog filma na kositru zbiva se aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem jakog električnog polja kroz oksidni film, prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale (mehanizam "aproksimacije visokog polja"). Ionska vodljivost kroz film raste s porastom temperature elektrolita. Određena je jakost električnog polja kroz okside, a dobivene vrijednosti reda veličine MV cm-1 opravdavaju primjenu modela "aproksimacije visokog polja" pri opisivanju rasta oksidnih filmova na kositru u otopini boratnog pufera različitih temperatura. Jakost električnog polja opada s porastom temperature.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemijsko inženjerstvo
