Naslov
MIKROVALNO POJAČALO S AlGaN/GaN TRANZISTOROM S EFEKTOM POLJA
(Microwave amplifier with AlGaN/GaN field-effect transistor)

Autori
Karač, Marija

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
01.07

Godina
2015

Stranica
125

Mentor
Babić, Dubravko

Ključne riječi
radiofrekvencijsko pojačalo u klasi AB
(radiofrequency amplifier in class AB)

Sažetak
Ovaj rad opisuje dizajn i izradu uskopojasnog jednostupanjskog RF pojačala snage, koje radi u klasi AB, na 2 GHz. Korišten je AlGaN/GaN HEMT s visokom pokretljivošću elektrona. Opisan je proračun mreža za ugađanje ulazne i izlazne impedancije, proces izrade tiskane pločice te mjerenja i ugađanja pasivnih komponenti da bi se dobili rezultati na 2GHz.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

Napomena
Diplomski rad broj 953

POVEZANOST RADA