Naslov
30-MHz pojačalo u klasi E sa AlGaN/GaN HFET-om
(30-MHz class E power amplifier using AlGaN/GaN HFET transistors)

Autori
Majdak, Tomislav

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
05.07

Godina
2018

Stranica
98

Mentor
Babić, Dubravko

Ključne riječi
E klasa pojačala, sklopka, GaN HFET tranzistor, prilagodna mreža, LTspice, ADS
(Class E power amplifiers, switch, GaN HFET transistor, impedance matching network, LTspice, ADS)

Sažetak
Pojačala klase E su visokoefikasna pojačala koja koriste tranzistor kao sklopku te prilagodnu mrežu koja oblikuje valne oblike napona i struje s ciljem smanjivanja disipacije na tranzistoru. Na taj način povećavamo ukupnu efikasnost pojačala. Klasa E pojačala je razvijena 1975. godine od strane Nathana O. Sokala. Glavna ideja E klase pojačala je ispravljanje nedostataka D klase pojačala, gdje izlazni kapacitet tranzistora pri višim frekvencijama povećava disipaciju (𝑃𝐷𝐼𝑆=𝐶𝐷𝑆∗𝑈𝐷𝑆2∗𝑓), a samim time smanjuje ukupnu efikasnost pojačala. Cilj ovog diplomskog rada je bio dizajnirati pojačalo izlazne snage 100 W na frekvenciji od 30 MHz korištenjem GaN HFET tranzistora. GaN HFET tranzistori za razliku od silicijskih tranzistora posjeduju puno bolje karakteristike koje nam mogu pomoći pri povećanju efikasnosti. Bitni parametri su: ulazni kapacitet, izlazni kapacitet, dinamički otpor, manje dimenzije tranzistora, cijena. Tranzistor kojeg smo koristili jest GS66508T (GaN-Systems). Pri dizajniranju pojačala poslužili smo se simulacijskim alatima LTspice i ADS. Tiskanu pločicu dizajnirali smo pomoću programskog alata Altium Designer. Nakon mjerenja karakteristika pojačala ustanovili smo kako se podaci nisu podudarali s rezultatima simulacija.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

Napomena
Diplomski rad broj 1754

POVEZANOST RADA