Naslov
Mjerenje toplinske vodljivosti silicija 3-omega metodom
(Measurement of thermal conductivity of silicon by 3-omega method)

Autori
Ursa, Ivana

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Prirodoslovno-matematički fakultet

Mjesto
Split

Datum
12.10

Godina
2018

Stranica
42

Mentor
Aviani, Ivica

Ključne riječi
toplinska vodljivost, temperaturni koeficijent otpora, 3 - omega metoda, lock – in pojačalo
(Thermal conductivity, temperature coefficient of resistance, 3 - omega method, lockin amplifier)

Sažetak
Cilj ovoga rada bio je uspostaviti tri-omega metodu za mjerenje toplinske vodljivosti te testirati metodu mjerenjem toplinske vodljivost silicija. U tu svrhu izradili smo eksperimentalni postav, što uključuje izradu Wheastoneovog mosta i grijača uzorka, postavili smo platinski termometar te napisali i testirali programe za mjerenje temperaturne ovisnosti otpora metalne trake i toplinske vodljivosti silicija. Izmjerili smo temperaturni koeficijent otpora metalne trake i frekventnu karakteristiku trećeg harmonika za dvije efektivne vrijednosti napona izvora od 0, 75 i 0, 5 V te na dvije temperature 26 ˚C i 47 ˚C. koju smo stabilizirali grijanjem pomoću grijača i strujnog izvora. Izmjerene vrijednosti koeficijenta toplinske vodljivosti uzorka silicija na sobnoj temperaturi za efektivnu vrijednost napona izvora od 0, 5 V iznose oko 132 W/m∙K, a za napon izvora od 0, 75 V su nešto više i iznose oko 175 W/m∙K te su u dobrom slaganju s vrijednostima iz literature. Na temperaturi od 47 ˚C toplinska vodljivost je nešto manja i iznosi oko 167 W/m∙K, što je u skladu s očekivanjima jer toplinska vodljivost pada s povišenjem temperature.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA