Naslov
Električki aktivni defekti u 4H-SiC uvedeni zračenjem
(Electrically active defects in 4H-SiC introduced by radiation)

Autori
Brodar, Tomislav

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Prirodoslovno matematički fakultet

Mjesto
Zagreb

Datum
15.07

Godina
2017

Stranica
47

Mentor
Capan, Ivana

Ključne riječi
4H-SiC, intrinsiˇcni defekti, ionska implatacija, neutronsko ozraˇcivanje, tranzijentna spektroskopija dubokih nivoa.
(4H-SiC, defects, ion implantation, neutron irradiation, deep level transient spectroscopy)

Sažetak
Ni/4H-SiC Schottky diode n-tipa ozračene su termalnim i brzim neutronima te implantirane s 2MeV He ionima. Zatim, izvršena je karakterizacija strujno-naponskim, kapacitivno-naponskim te mjerenjima tranzijentne spektroskopije dubokih nivoa. Ozračivanje termalnim neutronima u dozama do 1 x 1010 cm-2 nije uzrokovalo promjene karakteristika, što je u skladu s velikom otpornošću SiC na oštećenja pri ozračivanju. Ozračivanje brzim neutronima (pri dozi 1 x 1013 cm-2) je unijelo novi ET2 duboki nivo, dok se koncentracija Z1/2 dubokog nivoa povećala. Brzi neutroni energije oko 0.8 MeV (koji su korišteni u ovom radu) mogu unijeti samo vakancije i intersticije u SiC, stoga opaženi duboki nivoi su vezani uz njih. Kompenzacija je opažena pri dozi 1 x 1014 cm-2 brzih neutrona. Implantacija 2MeV He iona unijela je ET1, Z11/2 i ET2 duboke nivoe te uzrokovala kompenzaciju u području dosega 2MeV He iona u 4H-SiC.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA