Naslov
Potpun skup dubokih zamki u visoko-otpornom GaAs
(Complete set of deep traps in semi-insulating GaAs)

Autori
Pavlović, Mladen ; Desnica, Uroš Vladan ; Gladić, Jadranko

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Zbornik povzetkov 8. mednarodnog sestanka Vakuumska znanost in tehnika / Belič, Lidija I. - Ljubljana, 2001, 27-27

Skup
8. mednarodni sestanek Vakuumska znanost in tehnika

Mjesto i datum
Brdo kod Kranja, Slovenija, 23.05.2001

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija

Ključne riječi
duboke zamke; visoko-otporni GaAs; termički stimulirane struje
(deep traps; semi-insulating GaAs; thermally stimulated currents)

Sažetak
Visoko-otporni (SI) GaAs koristi se kao osnova u proizvodnji integriranih krugova, tranzistora s efektom polja i mnogih drugih sličnih uređaja. Njihov rad ovisi o kvaliteti supstrata, čija su svojstva ovisna o defektima s dubokim nivoima u zabranjenom procjepu. Stoga je važno pratiti i razumjeti utjecaj tih defekata na svojstva SI GaAs te izvršiti njihovu karakterizaciju (određivanje dubine pripadnih nivoa, Ea, i uhvatnog udarnog presjeka,  ). Načinili smo ponovnu analizu velikog broja mjerenja termički stimuliranih struja (TSC) na SI GaAs. Riječ je o objavljenim rezultatima različitih grupa autora nastalih u zadnjih tridesetak godina. Primjenili smo novu analitičku metodu za istovremenu karakterizaciju svih dubokih zamki (SIMPA), kojom se mogu jasno razlučiti doprinosi različitih bliskih vrhova u TSC spektru. Analizirani TSC spektri pripadaju uzorcima SI GaAs koji se po mnogo čemu međusobno razlikuju, bilo da je riječ o različitim tehnikama rasta ili o potpuno različitim tretmanima koje su prošli (npr. rast kristala uz suvišak As ili Ga, različit “ annealing” , ozračivanje neutronima,  zrakama i dr.). Unatoč tome što je metoda SIMPA primjenjena na međusobno potpuno različite TSC spektre, u svim slučajevima dobivene su odlične krivulje prilagodbi (“ fitting” ) i to s jedinstvenim skupom (ili njegovim podskupom) od jedanaest različitih dubokih zamki. Jedina razlika je dobivena pri određivanju relativnih i apsolutnih koncentracija zamki. Unatoč raznolikosti analiziranih uzoraka, dobiveni skup zamki je isti kao i onaj dobiven nedavno, i to na puno užem izboru SI GaAs uzoraka. Ovi rezultati ukazuju na to da je ovaj skup zamki konačan i potpun skup defekata s dubokim nivoima u SI GaAs. Također je zaključeno da su ti defekti kompleksi koji se uglavnom sastoje od jednostavnih prirođenih defekata.

Izvorni jezik
Engleski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA