Pregled bibliografske jedinice broj: 813912
Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor
Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor
(2014)
CROSBI ID: 813912 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Semiconductor Device Comprising a Lateral Bipolar Transistor
Autori
Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Mochizuki, Hidenori ; Morita, So-ichi
Broj patenta
JP 5603917 B2
Godina
2014
Datum patenta
08.10.2014
Nositelj prava
Asahi Kasei EMD Corporation, ,
Sažetak
The present invention relates to the manufacturing method of the semiconductor device which has the composition of the BiCMOS transistor which started the manufacturing method of the semiconductor device and the semiconductor device, especially combined the CMOS transistor and the bipolar transistor, and a semiconductor device.
Izvorni jezik
Jpn
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Koričić, Marko, MZO ) ( CroRIS)
HRZZ-IP-2013-11-9006 - Poluvodički elementi visokih performansi za primjene u sklopovima za bežične komunikacije i optičke detektore (HiPerSemi) (Suligoj, Tomislav, HRZZ ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb