Pregled bibliografske jedinice broj: 813850
Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same
Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same
(2014)
CROSBI ID: 813850 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Hybrid-integrated Lateral Bipolar Transistor and CMOS Transistor and Method for Manufacturing the Same
Autori
Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Mochizuki, Hidenori ; Morita, So-ichi
Broj patenta
JP 5576451 B2
Godina
2014
Datum patenta
20.08.2014.
Nositelj prava
Asahi Kasei EMD Corporation, ,
Sažetak
A high-performance lateral bipolar transistor suited for the hybrid-integration (BiCMOS) of a lateral transistor and a CMOS transistor, and a method for manufacturing the lateral transistor are provided.
Izvorni jezik
Jpn
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Koričić, Marko, MZO ) ( CroRIS)
HRZZ-IP-2013-11-9006 - Poluvodički elementi visokih performansi za primjene u sklopovima za bežične komunikacije i optičke detektore (HiPerSemi) (Suligoj, Tomislav, HRZZ ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb