Pregled bibliografske jedinice broj: 74310
Studij anodnog rasta oksidnih filmova na Al-In legurama
Studij anodnog rasta oksidnih filmova na Al-In legurama // Zbornik radova = Proceedings / 2. hrvatski simpozij o elektrokemiji, Primošten, 17. - 20. rujna 2001. = 2nd Croatian Symposium on Electrochemistry / Gojo, Miroslav (ur.).
Zagreb: Hrvatsko društvo kemijskih inženjera i tehnologa (HDKI), 2001. str. 125-128 (predavanje, domaća recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
CROSBI ID: 74310 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Studij anodnog rasta oksidnih filmova na Al-In legurama
(Study of Anodic Oxide films Growth on Al-In alloys)
Autori
Gudić, Senka ; Radošević, Jagoda ; Kliškić, Maja
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni
Izvornik
Zbornik radova = Proceedings / 2. hrvatski simpozij o elektrokemiji, Primošten, 17. - 20. rujna 2001. = 2nd Croatian Symposium on Electrochemistry
/ Gojo, Miroslav - Zagreb : Hrvatsko društvo kemijskih inženjera i tehnologa (HDKI), 2001, 125-128
Skup
2. hrvatski simpozij o elektrokemiji
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 17.09.2001. - 20.09.2001
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
Al-In legura; anodni oksidni film; mehanizam i kinetika rasta; iskorištenje struje
(Al-In alloy; Anodic oxide film; Mechanism and kinetics of growth; current efficiency)
Sažetak
Snimanjem potencijal-vrijeme odgovora pri galvanostatskom pobuđivanju elektrode, te mjerenjem impedancije ispitan je mehanizam, kinetika rasta i svojstva tankih oksidnih filmova na Al-In legurama (sa sadržajem do 0.074%) u otopini boratnog pufera.Rast oksidnih filmova na Al-In legurama zbiva se aktivacijski kontroliranom ionskom vodljivošću pod utjecajem visokog električnog polja kroz oksidni film prema eksponencijalnom zakonu za ventilne metale. Kinetički parametri rasta oksida, A i B, kao i ionska vodljivost kroz oksidni sloj poprimaju manje iznose što je sadržaj indija u leguri veći. Određena je jakost električnog polja kroz okside, a dobivena vrijednost reda veličine MV cm-1 opravdava primjenu mehanizma "aproksimacije visokog polja". Oksidni film na Al-In legurama formira se uz određene gubitke struje. Što je sadržaj In u leguri veći gubici struje su manji.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemijsko inženjerstvo