Pregled bibliografske jedinice broj: 686135
Određivanje dimenzija nanostruktura u poroznom siliciju iz efekata zatočenja
Određivanje dimenzija nanostruktura u poroznom siliciju iz efekata zatočenja // Knjiga sažetaka 8. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva / Miroslav Požek, Ticijana Ban, Ante Bilušić, Predrag Dominis Prester, Andreja Gajović, Krešimir Kumerički, Ivana Kurečić, Nenad Pavin, Vanja Radolić, Suzana Szilner, Eduard Tutiš (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2013. str. 87-87 (poster, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 686135 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Određivanje dimenzija nanostruktura u poroznom siliciju iz efekata zatočenja
(Determination of nanostructure sizes in porous silicon from quantum confinement effects)
Autori
Ðerek, Vedran ; Ivanda, Mile ; Marciuš, Marijan ; Ristić, Mira ; Musić, Svetozar
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Knjiga sažetaka 8. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva
/ Miroslav Požek, Ticijana Ban, Ante Bilušić, Predrag Dominis Prester, Andreja Gajović, Krešimir Kumerički, Ivana Kurečić, Nenad Pavin, Vanja Radolić, Suzana Szilner, Eduard Tutiš - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2013, 87-87
ISBN
978-953-7178-15-4
Skup
Osmi znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 06.10.2013. - 08.10.2013
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
kvantno zatočenje; porozni silicij; nanostrukture; gravimetrija; anodizacija
(quantum confinement; porous silicon; nanostructures; gravimetry; anodisation)
Sažetak
Uzorci poroznog silicija pripremljeni su elektrokemijskom anodizacijom p i n dopiranih silicijskih supstrata. Anodizacija je obavljena u elektrolitu baziranom na fluorovodičnoj kiselini (HF), u galvanostatskim uvjetima. Vrijeme anodizacije i jakost struje su varirani, dok je ukupan naboj potrošen u anodizaciji držan konstantnim. Ostvarene su različite vrijednosti valencije rastvaranja poroznog silicja nd. Uzorci su karakterizirani gravimetrijskim mjerenjima, pretražnom elektronskom mikroskopijom, spektroskopijom fotoluminiscencije i Ramanovom spektroskopijom. Učinak fononskog zatočenja u nanostrukturama poroznog silicija opažan je Ramanovom spektroskopijom. Opažena je jaka korelacija fononskog zatočenja sa valencijom rastvaranja nd i veličinom nanostruktura dobivenom iz modela kvantnog zatočenja prilagođenog na mjerenja fotoluminiscencije. Kod pripreme uzoraka opažena je nestabilnost površinske morfologije u slučajevima kada je elektrolit vodljiviji od silicijskog supstrata.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
Profili:
Marijan Marciuš
(autor)
Mira Ristić
(autor)
Svetozar Musić
(autor)
Vedran Đerek
(autor)
Mile Ivanda
(autor)