Pregled bibliografske jedinice broj: 678560
Tranzijentni odziv i raspodjela dubokih stanja u amorfnim organskim filmovima
Tranzijentni odziv i raspodjela dubokih stanja u amorfnim organskim filmovima // Knjiga sažetaka / Požek, Miroslav (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2013. str. 36-36 (predavanje, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 678560 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Tranzijentni odziv i raspodjela dubokih stanja u amorfnim organskim filmovima
(Transient response and distribution of deep states in amorphous organic films)
Autori
Jurić, Ivan
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Knjiga sažetaka
/ Požek, Miroslav - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2013, 36-36
ISBN
978-953-7178-15-4
Skup
8. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 06.10.2013. - 08.10.2013
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
DITS; gustoća stanja; gausijanski nered; eksponencijalni rep
(DITS; density of states; Gaussian disorder; exponential tail)
Sažetak
U amorfnim organskim poluvodičima elektronski transport se odvija stohastičkim skokovima među prostorno lokaliziranim polaronskim stanjima. Poznato je da nered u energijama stanja dominantno određuje transportna svojstva, poput izrazito nelinearne elektronske mobilnosti. Prihvaćen i dosada najuspješniji model transporta postulira da je energijska raspodjela lokaliziranih stanja normalna (gausijan). Jedna od metoda za određivanje mobilnosti nosioca, a i ocjenu injekcijske učinkovitosti elektroda, u tankim organskim filmovima je mjerenje tranzijenta struje pri uključivanju napona (DITS). [1, 2] U mnogim polimernim materijalima ova metoda pokazuje karakterističan trnući tranzijentni odziv, povezan sa zarobljavanjem naboja u dubokima stanjima. [2] Istraživačke grupe donedavno nisu pokazivale veće zanimanje za ovo atenuacijsko ponašanje i njegovu kompatibilnost s postojećim transportnim modelima. Nedavni rad, koji demonstrira jak utjecaj povezanih memorijskih učinaka na izmjerene mobilnosti, promijenio je donekle trend. [3] Istražili smo kakve otisak različite energijske raspodjele elektronskih stanja ostavljaju u DITS tranzijentnom odzivu. [4] Istraživanje je provedeno sa, za tu svrhu razvijenom, trodimenzionalnom simulacijom elektronskog transporta skokovima u tankim organskim filmovima. Nalazimo da općenito prihvaćen model transporta, kroz normalnu raspodjelu stanja, \emph{;ne može}; objasniti atenuaciju struje opaženu u polimernim filmovima. Za replikaciju takvog odziva, potrebno je da raspodjela stanja ima \emph{;širok};, eksponencijalan rep. Pokazujemo također da pojava strujne atenuacije utječe na interpretaciju rezultata DITS metode na slabim poljima – uzrokujući \emph{;privid}; povećane tranzijentne mobilnost i snižene injekcijske učinkovitosti elektrode. Ovo istraživanje provedeno je u sklopu zajedničkog projekta Instituta za fiziku i National Physical Laboratory u Londonu, kojeg je financirala Europska pokrovna metrološka udruga (EURAMET). [1] Many, Rakavy PRB [2] vidi npr. Poplavskyy etal, JAP [3] Esward etal, JAP [4] Jurić, Tutiš u pripremi
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Projekti:
035-0352826-2847 - Modeliranje fizikalnih svojstava materijala s izraženom frustracijom ili neredom (Tutiš, Eduard, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Institut za fiziku, Zagreb
Profili:
Ivan Jurić
(autor)