Pregled bibliografske jedinice broj: 675088
Utjecaj silika nanopunila na kinetiku izotermne kristalizacije polilaktida
Utjecaj silika nanopunila na kinetiku izotermne kristalizacije polilaktida, 2012., diplomski rad, diplomski, Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, Zagreb
CROSBI ID: 675088 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Utjecaj silika nanopunila na kinetiku izotermne kristalizacije polilaktida
(Influence of silica nanofiller on isothermal crystallization kinetic of polylactide)
Autori
Suša, Arijana
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski
Fakultet
Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije
Mjesto
Zagreb
Datum
27.09
Godina
2012
Stranica
59
Mentor
Lučić Blagojević, Sanja
Ključne riječi
Kinetika izotermne kristalizacije; kompozitni sustav PLA/silika; Avramijev model
(Isothermal crystallization kinetics; composite system PLA/silica; Avrami model)
Sažetak
U ovom radu tehnikom diferencijalne pretražne kalorimetrije (DSC) istražen je utjecaj temperature od 90 do 120°C i dodatka amorfnog silika nanopunila od 0 do 5 % mas. na kinetiku izotermne kristalizacije PLA matrice. Analizom kristalizacijskih izotermi određene su vrijednosti maksimuma pikova kristalizacije (tmax) i vrijednosti t1/2, koje označavaju vrijeme potrebno da se dostigne 50% od vrijednosti ukupne entalpije kristalizacije uzorka. Kinetika izotermne kristalizacije PLA i PLA/silika nanokompozita analizirana je pomoću kinetičkih parametara n i K, izračunatih Avramijevim modelom. Izotermno kristalizirani uzorci su nakon toga neizotermno zagrijavani do potpunog taljenja, te su analizirane vrijednosti temperatura i entalpija taljenja. Dobivene vrijednosti parametra n ukazuju na dvodimenzionalni rast sferulita svih ispitivanih uzoraka, bez obzira na temperaturu izotermne kristalizacije (Tc) i udio punila. Ovisnost brzine kristalizacije čiste PLA matrice i PLA/silika nanokompozita o Tc diskretno se mijenja na 105°C (Tb). Temperatura Tb razdvaja dva temperaturna raspona: Tc<Tb (niskotemperaturni raspon), u kojem brzina kristalizacije raste s povišenjem Tc ; i Tc>Tb (visokotemperaturni raspon), u kojem brzina kristalizacije pada s povišenjem Tc. Specifično kristalizacijsko ponašanje ispitivanih sustava objašnjeno je različitom uređenosti kristalne strukture (α' i α ortorompske modifikacije) s obzirom na Tc. Bez obzira na količinu punila i Tc, svi ispitivani PLA/silika kompoziti imaju nižu brzinu kristalizacije u odnosu na čistu PLA matricu. Od svih istraživanih kompozita, sustav s 1% mas. punila ostvario je najveću brzinu izotermne kristalizacije pri svim ispitivanim Tc. Krivulje taljenja izotermno kristaliziranih uzoraka PLA matrice i kompozitnih sustava PLA/silika pokazuju višestruke pikove, što upućuje da se tijekom zagrijavanja istovremeno događaju procesi taljenja i rekristalizacije. Rezultati analize entalpija taljenja pokazali su da pri nižim temperaturama izotermne kristalizacije dodatak silika punila ometa kristalizaciju. Samo za kompozitne uzorke izotermno kristalizirane na najvišoj Tc = 120°C dodatak punila potiče kristalizaciju PLA matrice.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Kemijsko inženjerstvo
POVEZANOST RADA
Projekti:
125-1252971-2575 - Inženjerstvo površina i međupovršina nanočestica u adhezijskim nanomaterijalima (Leskovac, Mirela, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet kemijskog inženjerstva i tehnologije, Zagreb
Profili:
Sanja Lučić Blagojević
(mentor)