Pregled bibliografske jedinice broj: 648760
Električko i toplinsko modeliranje IGBT tranzistora
Električko i toplinsko modeliranje IGBT tranzistora, 2006., diplomski rad, diplomski, Tehnički fakultet, Rijeka
CROSBI ID: 648760 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Električko i toplinsko modeliranje IGBT tranzistora
(Electrical and thermal modeling of IGBT transistor)
Autori
Peršić, Dragan
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski
Fakultet
Tehnički fakultet
Mjesto
Rijeka
Datum
20.02
Godina
2006
Stranica
68
Mentor
Šunde, Viktor
Ključne riječi
poluvodički ventili; elektro-toplinski model; IGBT tranzistor;
(semiconductor valves; electro-thermal model; IGBT transistor)
Sažetak
U radu je opisana uloga i važnost metoda modeliranja i simuliranja električkog i toplinskog ponašanja učinskih poluvodičkih ventila. Objašnjena je fenomenologija električkog i toplinskog ponašanja IGBT tranzistora. Dat je pregled postojećih modela IGBT tranzistora ugrađenih u električke simulatore. Izrađen je jednostvni model temperaturno ovisnih gubitaka i nadomjesne temperature IGBT-a za simulacijski program Simplorer. Kao ulazne parametre model koristi temperaturno ovisne strujno-naponske statičke karakteristike tranzistora.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika