Naslov
Visokonaponski kapilarni izboj u EUV litografiji
(High-voltage capillary discharge in EUV lithography)

Autori
Domazet, Petar

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad, diplomski

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
19.09

Godina
2013

Stranica
42

Mentor
Pleslić, Sanda

Ključne riječi
ablativni kapilarni izboj; EUV izvori zračenja; litografija
(ablative capillary discharge; EUV source of radiation; lithography)

Sažetak
U brzorastućoj elektroničkoj industriji fotolitografski postupci su dosegli svoju granicu. Traže se nove tehnologije koje mogu zadovoljiti zahtjeve za sve manjim integriranim sklopovima. EUVL postavlja novu granicu na veličinu elemenata – 13, 5 nm. Jedan od glavnih kandidata za dobivanje plazme koja zrači u EUV pojasu je visokonaponski kapilarni izboj zbog svoje kompaktnosti i jednostavnosti te mogućnosti korištenja dostupnih i cijenom povoljnih materijala za izradu kapilara. Jedan od takvih je PVC s dodacima kositra, cinka i čađi te poliacetal (CH2O)n. Pojas na 13, 5 nm (PVC sa Sn) nije jako osjetljiv na ulazne izbojne napone i daje optimalni izboj na 12 kV, a zračenja na 10 i 15, 5 nm od PVC-a sa Zn mogu se kontrolirati izbojnim naponom. Integrirana jakost zračenja pojasa oko 13, 5 nm za PVC sa Sn u koncentraciji (0, 370, 04)% je sadržavala oko 90% ukupnog izlaznog EUV zračenja iz kapilare što je uzrokovano preklapanjem više pojedinačnih Sn- linija (od Sn VIII do Sn XIII). Izbojne struje su bile reda veličine kA, periodi izbojnih ciklusa reda veličine 100 ns, ukupni induktivitet reda veličine nH. Ukupna jakost zračenja u pojasu je bila red veličine veća od jakosti drugih izvora baziranih na plinskim izbojima za ksenon i kripton. Pokazalo se da se PVC sa Sn može uspješno koristiti kao materijal za ablativne kapilare ako izboj radi sa smanjenom strujom i ako je okidni krug prikladno modificiran da eliminira probleme s nečistoćama bogatim ugljikom.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA