Pregled bibliografske jedinice broj: 547711
Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika
Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a
Primošten, Hrvatska, 2011. (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 547711 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Tanki slojevi fosforom visokodopiranog polikristalnog silicija s mogućom primjenom na području termoelektrika
Autori
Žonja, Sanja ; Očko, Miroslav ; Ivanda, Mile ; Suligoj, Tomislav ; Koričić, Marko ; Biljanović, Petar
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanaka HFD-a
/ - , 2011
Skup
7. znanstveni sastanak HFD-a
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 13.10.2011. - 16.10.2011
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
polisilicij; RTA; LPCVD
Sažetak
Sve do nedavno, silicij nije bio razmatran kao potencijalni termoelektrik zbog svojih loših termoelektričnih svojstava kod kojih najveću ulogu igra veoma visoka toplinska vodljivost. No, razvojem eksperimentalnih metoda koje su utjecale na bolju kontrolu veličine zrna polikristalnog materijala i njegovih dimenzija te metoda kojima se postiže nanostrukturiranje silicija, vjerojatnost da bi silicij mogao postati komercijalni termoeletkrik znatno je porasla. U sklopu ovog istraživanja analizirali smo fosforom visokodoprane slojeve polikristalnog silicija. Amorfni uzorci su pripremljeni paralelnim tokom silana i fosfina u LPCVD (kemijska depozicija iz parne faze pri sniženom tlaku) reaktoru na 530 °C. Nakon depozicije podvrgnuti su brzom termičkom aneliranju (RTA) u različitim vremenskim intervalima na temperaturi napuštanja od 950 °C. Koncentracija fosfora u svakom uzorku dobivena je iz rezultata SIMS-a i iznosi 2∙1020 cm-3. Uzorci su analizirani Ramanovom spektroskopijom, SEM-om (pretražni elektronski mikroskop), metodom 4 šiljka za ispitivanje slojnog otpora te su povrgnuti niskotemperaturnim mjerenjima otpora i Seebeckovog koeficijenta. Seebekov koeficijent pokazuje linearnu temperaturnu ovisnost iznad 150 K dok u tom istom intervalu otpornost ima T3/2 ovisnost.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
035-0352827-2841 - Materijali sa elektronskom strukturom modeliranom modernim tehnikama priprave (Aviani, Ivica, MZOS ) ( CroRIS)
036-0361566-1567 - Nanometarski elektronički elementi i sklopovske primjene (Suligoj, Tomislav, MZO ) ( CroRIS)
036-0982904-1642 - Sofisticirane poluvodičke strukture za komunikacijsku tehnologiju (Koričić, Marko, MZO ) ( CroRIS)
098-0982904-2898 - Fizika i primjena nanostruktura i volumne tvari (Ivanda, Mile, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Institut za fiziku, Zagreb,
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
Profili:
Sanja Žonja
(autor)
Petar Biljanović
(autor)
Tomislav Suligoj
(autor)
Miroslav Očko
(autor)
Mile Ivanda
(autor)
Marko Koričić
(autor)