Pregled bibliografske jedinice broj: 541035
Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima
Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima // Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva / Gajović, Andreja ; Tokić, Vedrana ; Zorić, Maja ; Maruščak, Tomislav (ur.).
Zagreb: Hrvatsko fizikalno društvo, 2011. (poster, nije recenziran, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 541035 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Model za procjenu pouzdanosti dielektričnog sloja u modernim MOS tranzistorima
(Dielectric layer reliability estimation model for modern MOS transistors)
Autori
Milanović, Željka ; Betti, Tihomir ; Marasović, Ivan ; Zulim, Ivan ; Pivac, Branko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Knjiga sažetaka 7. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva
/ Gajović, Andreja ; Tokić, Vedrana ; Zorić, Maja ; Maruščak, Tomislav - Zagreb : Hrvatsko fizikalno društvo, 2011
Skup
7. znanstveni sastanak Hrvatskog fizikalnog društva
Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 13.10.2011. - 16.10.2011
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
proboj; tanki dielektrički sloj; defekt; MOS; pouzdanost
(breakdown; thin dielectric film; defect; MOS; reliability)
Sažetak
U modernim MOS unipolarnim tranzistorima izrađenim postupcima visoke integracije, značajno je smanjena ekvivalentna debljina oksidnog sloja. Za pouzdan rad uređaja, ne smije se dogoditi proboj tog tankog dielektričnog sloja ni u uvjetima izloženosti jakim električnim poljima kroz duži vremenski period. Pouzdanost dielektrika upravljačke elektrode tranzistora postaje posebno važna u uvjetima kad se zbog ograničenja potrošnje uređaja nastoji smanjiti radni napon i povećati struja. U ovom radu analizirana je pojava proboja tankog dielektričnog sloja primjenom modela dinamičke perkolacije. Model uzima u obzir nehomogenu raspodjelu električnog polja koja rezultira pojavom lokalnih defekata, odnosno nastankom vodljivih elemenata u dielektričnoj matrici. To su mjesta na kojima se javljaju visoki iznosi lokalnih električnih polja koja utječu na daljnje širenje defekata. Računalnim Monte Carlo simulacijama analizirano je širenje defekata i njihovo povezivanje te pojava proboja dielektričnog filma.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
023-0982886-1612 - Napredni modeli procjene Sunčevog zračenja i primjena u FN pretvorbi energije
069-0362214-1575 - Optimizacija i dizajn vremensko-frekvencijskih distribucija (Sučić, Viktor, MZOS ) ( CroRIS)
098-0982886-2866 - Temeljna svojstva nanostruktura i defekata u poluvodičima i dielektricima (Pivac, Branko, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike, strojarstva i brodogradnje, Split,
Tehnički fakultet, Rijeka,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
Profili:
Ivan Marasović
(autor)
Ivan Zulim
(autor)
Branko Pivac
(autor)
Željka Tomasović
(autor)
Tihomir Betti
(autor)