Naslov
Studij defekata u siliciju implantiranom ionima fosfora energije 40 keV-a
(Study of defects in silicon by phosphorus ion implantation of energy 40 keV)

Autori
Etlinger, Božidar ; Urli, Natko

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
3.Jugoslavenski simpozij o fizici čvrstog stanja, Kratki sadržaji referata, Opatija, 18.-22. septembar 1972. / Krsnik, Rudolf ; Leontić, Borivoj ; Mestnik, Brigita ; Ogorelec, Zvonimir - Zagreb : IFS - PMF, Zagreb, 1972, 59-59

Skup
3.Jugoslavenski simpozij o fizici čvrstog stanja, Opatija, 18.-22. septembar 1972.

Mjesto i datum
Opatija, Jugoslavija, 18.09.1972. - 22.09.1972

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija

Ključne riječi
implantacija fosfora; silicij; Hallova vodljivost;
(implantation of phosphorus; silicon; the Hall conductivity)

Sažetak
U silicij p-tipa vodljivosti 100 (ohm-cm)(-1) implantirani su ioni fosfora P31 energije 40 keV-a. Smjer implantacije bio je (111). Upotrebljene su doze od 10(na12) i 10(na13) iona po cm2, da bi se izbjeglo dobivanje amorfnog sloja na površini. Izvršena su mjerenja temperaturne zavisnosti Hallovog koeficijenta i vodljivosti slojeva na uzorcima “mesa” strukture nakon napuštanja na višim temperaturama, počevši od 150oC, uz postepeno skidanje slojeva metodom anodne oksidacije. Nakon napuštanja dobiven je donorski nivo fosfora (Ec – 0.044 eV). Diskutiran je mogući utjecaj nehomogenosti u raspodjeli defekata rešetke na određivanje položaja lokaliziranih energetskih nivoa pridruženih defektima uvedenim implantacijom.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

Napomena
Predavanje, međunarodna recenzija, znanstveni, sažetak

POVEZANOST RADA