Naslov
Ablacija GaAs primjenom nanosekundnih laserskih pulseva
(Nanosecond pulsed laser ablation of GaAs)

Autori
Dubček, Pavo ; Pivac, Branko ; Milošević, Slobodan ; Krstulović, Nikša ; Kregar, Zlatko ; Bernstorff, Sigrid ;

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Zbornik sažetaka 17. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika / Pivac, Branko - Zagreb, 2010

ISBN
953-98154-2-6

Skup
17. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika

Mjesto i datum
Tuheljske Toplice, Hrvatska, 01.06.2010

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
GaAs; pulsna laserska ablacija; AFM; GISAXS
(GaAs; pulse laser ablation; AFM; GISAXS)

Sažetak
Laserska pulsna depozicija jednostavna je metoda proizvodnje materijala nanometarskih dimenzija u kojima dominiraju kvantna ograničenja čiji efekti modificiraju svojstva materijala. Ablacija vrlo kratkim pulsevima pokazala se potencijalno primjenjivom u proizvodnji složenih, visekomponentnih slojeva, čija stehiometrija odgovara izvornim materijalima. Galij arsenid (GaAs) je materijal od velikog značaja za elektroničku i optoelektroničku industriju, a zanačaj će mu dodatno porasti ukoliko mu se svojstva podese kvantnim ograničenjima. GaAs nanočestice, čija svojstva su promjenjena zbog kvantnih efekata, već su proizvedene ablacijom nanosekundnim laserskim pulsevima uz prisustvo radnog plina. Najnovije studije pokazale su da su stehiometrijski nanokristaliti dimenzija 2-20 nm proizvedeni čak i bez prisustva radnog plina. U ovom radu proučavan je utjecaj dužine nanosekundnog laserskog pulsa na ablaciju GaAs. U potrazi za optimalim uvjetima za tvorbu nanočestica variran je radni plin (helij, argon) i njegov tlak, te broj pulseva.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA