Naslov
Analiza bipolarnog tranzistora s emiterom u v-žlijebu
(Analysis of a bipolar transistor with an emitter fabricated in v-groove)

Autori
Šuljug, Ante

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
22.10

Godina
2009

Stranica
61

Mentor
Suligoj, Tomislav

Ključne riječi
bipolarni tranzistor; V-žlijeb; silicij; silicij-germanij (SiGe); 2D simulacije
(bipolar transistor; V-groove; silicon; silicon-germanium (SiGe); 2D simulation)

Sažetak
U radu je prikazana realizacija računalnog modela bipolarnog tranzistora s horizontalnim tokom struje s emiterom realiziranim unutar V-žlijeba. Predstavljene su dvije strukture realizirane u Si tehnologiji te jedna u SiGe tehnologiji. Također, provedena je analiza električkih karakteristika bipolarnog tranzistora koristeći 2D računalne simulacije. Promatran je utjecaj tehnoloških parametara te su sve tri strukture optimirane za najveću frekvenciju jediničnog strujnog pojačanja te maksimalnu frekvenciju osciliranja kao i za najveći produkt frekvencije jediničnog strujnog pojačanja i probojnog napona. Provedena je usporedba Si i SiGe struktura te je pokazana dominacija SiGe tehnologije kada su u pitanju električka svojstva tranzistora i velike brzine rada. Osnovna struktura bipolarnog tranzistora predstavlja dosta konvencionalan pristup realizaciji bipolarnog tranzistora postižući frekvencije fT i fmax iznosa 21, 9 GHz i 57, 7 GHz uz Earlyev napon iznosa 12 V. Skalirana struktura u Si tehnologiji pokazuje bolje električke karakteristike dostižući iznose frekvencija fT i fmax čak 44, 3 GHz i 117, 9 GHz. Earlyev napon kod ove strukture niži je nego kod osnovne te iznosi 10 V. Posljednja struktura realizirana u SiGe tehnologiji pokazuje vrhunske karakteristike, istodobno postižući visoke iznose frekvencija fT i fmax od čak 161, 5 GHz odnosno 192 GHz. Earlyev napon u optimalnoj SiGe strukturi iznosi 26 V. Sve tri strukture mogu se jednostavno realizirati s malim brojem maski te istim tehnološkim procesom što ih čini pogodnim za integraciju sa CMOS tehnologijom.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA