Naslov
Proučavanje visoko dopiranih slojeva LPVCD polikristalnog silicija
(Investigation of the highly doped films of the LPCVD polysilikon)

Autori
Žonja, Sanja ; Očko, Miroslav ; Ivanda, Mile ; Biljanović, Peter

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
Knjiga sažetaka 6. znanstvenog sastanka Hrvatskog fizikalnog društva / - Zagreb, 2009, 132-132

Skup
6. znanstveni sastank Hrvatskog fizikalnog društva

Mjesto i datum
Primošten, Hrvatska, 08.10.2009. - 11.10.2009

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Nije recenziran

Ključne riječi
LPCVD tanki slojevi; Ramanska spektroskopija; električni otpor
(LPCVD thin films; Raman spectroscopy; electrical resistivity)

Sažetak
Visoko borom d-dopirani polisilicijski uzorci dobiveni su pomo´cu kemijske depozicije iz parne faze pri sniženom tlaku (LPCVD) na 750 oC u trajanju od 1 sata. Uzorci su napušteni 1 sat na 1200 oC. Tako dobiveni uzorci imajumali slojni otpor do 8.9W/sq. Koncentracija dopanda odred¯ena je iz vrijednosti slojnog otpora. Pokazujemo takod¯er odred¯ivanje koncentracije nosilaca naboja pomo´cu transverzalnog optiˇckog moda - TO moda Ramanovog spektra. Obje metode daju medjusobno dobro slaganje. Velic ˇine kristalita odred¯ene pomoc´u SEM-a pokazuju jasnu koncentracijsku ovisnost. Uzorci do oko 30 W/sq pokazuju metalni karakter ve´c od sobne temperature. Vodljivost na niskim temperaturama može se opisati sa T1/2 sve do 80 K za najniže otpore, a na višim temperaturama otpor pokazuje T3/2 ovisnost. Termostruja ima takodjer metalni karakter samo je mnogo ve´ca nego u sluˇcaju normalnih metala. Zbog visoke termostruje, do oko 300 μV/K, diskutiramo i termoelektriˇcna svojstva dobivenog materijala. Na osnovu naših istraživanja predlažemo naˇcin kako se termoelektriˇcna svojstva prouˇcavanog materijala Si:B mogu poboljšati.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika

POVEZANOST RADA