Pregled bibliografske jedinice broj: 377569
KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA
KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA // 15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika, ZBORNIK SAŽETAKA / Radić, Nikola ; Capan, Ivana (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2008. str. 19-19 (poster, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 377569 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA
(Kinetics and morphology of Ge-nanocrystals embedded into (Ge:SiO2) multi- and monolayered thin films)
Autori
Salamon, Krešimir ; Milat, Ognjen ; Buljan, Maja ; Desnica, Uroš V. ; Radić, Nikola ; Dubček, Pavo ; Bernstorff, Sigrid
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika, ZBORNIK SAŽETAKA
/ Radić, Nikola ; Capan, Ivana - Zagreb : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2008, 19-19
ISBN
953-98154-2-7
Skup
15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
Mjesto i datum
Varaždin, Hrvatska, 04.06.2008
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
Ge-nanokristali; tanki film; kinetika; morfologija
(Ge-nanocrystals; thin film; kinetics; morphology)
Sažetak
Tanki filmovi (Ge:SiO2 debljine: 280 nm) priređeni su magnetronskom depozicijom na dva načina: u obliku 20 izmjenjujućih (Ge:SiO2) + (SiO2) slojeva (debljine: 7+7 nm), i u obliku jednog homogenog nanosa. Izlučivanje i morfologija Ge-nanokristala u SiO2 okružju istraživano je analizom GISAXS (Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering) i GIXRD (Grazing Incidence X-Ray Diffraction) spektara, ovisno o načinu priređivanja i temperaturi dozrijevanja Ta (od sobne do 900°C). Ustanovljeno je da SiO2 sloj između (Ge:SiO2) slojeva kod višeslojnog, za razliku od homogenog filma, transformira 3D prostorno uređenje Ge-nanokristala u 2D uređenje unutar svakog (Ge:SiO2) sloja, te utječe na konačnu morfologiju Ge-nanokristala. 2D GISAXS spektri daju period višeslojne strukture filmova, te srednju veličinu i udaljenost između Ge-nanokristala, a analizom GIXRD spektara određena je temperatura TCP na kojoj počinje izlučivanje i kristalizacija germanija. Kratkodosežno korelirani kugloidni Ge-nanokristali veličine oko 7-12 nm, izlučuju se dozrijevanjem na Ta=700– 800°C bez obzira na način priređivanja filma. Također su uspoređena dva pristupa analizi 1D GISAXS spektara: tradicionalni - pomoću Guinierove aproksimacije, s modelnim - koji se temelji na prilagodbi spektra u cijelom q području.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Projekti:
035-0352843-2844 - Veza strukturnih i fizikalnih svojstava materijala kontrolirane dimenzionalnosti (Milat, Ognjen, MZOS ) ( CroRIS)
098-0982886-2866 - Temeljna svojstva nanostruktura i defekata u poluvodičima i dielektricima (Pivac, Branko, MZOS ) ( CroRIS)
098-0982886-2895 - Novi amorfni i nanostrukturirani tankoslojni materijali (Radić, Nikola, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Institut za fiziku, Zagreb,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
Profili:
Nikola Radić
(autor)
Ognjen Milat
(autor)
Uroš Desnica
(autor)
Pavo Dubček
(autor)
Maja Mičetić
(autor)
Krešimir Salamon
(autor)