Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 377569

KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA


Salamon, Krešimir; Milat, Ognjen; Buljan, Maja; Desnica, Uroš V.; Radić, Nikola; Dubček, Pavo; Bernstorff, Sigrid
KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA // 15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika, ZBORNIK SAŽETAKA / Radić, Nikola ; Capan, Ivana (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2008. str. 19-19 (poster, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)


CROSBI ID: 377569 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA
(Kinetics and morphology of Ge-nanocrystals embedded into (Ge:SiO2) multi- and monolayered thin films)

Autori
Salamon, Krešimir ; Milat, Ognjen ; Buljan, Maja ; Desnica, Uroš V. ; Radić, Nikola ; Dubček, Pavo ; Bernstorff, Sigrid

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni

Izvornik
15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika, ZBORNIK SAŽETAKA / Radić, Nikola ; Capan, Ivana - Zagreb : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2008, 19-19

ISBN
953-98154-2-7

Skup
15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika

Mjesto i datum
Varaždin, Hrvatska, 04.06.2008

Vrsta sudjelovanja
Poster

Vrsta recenzije
Domaća recenzija

Ključne riječi
Ge-nanokristali; tanki film; kinetika; morfologija
(Ge-nanocrystals; thin film; kinetics; morphology)

Sažetak
Tanki filmovi (Ge:SiO2 debljine: 280 nm) priređeni su magnetronskom depozicijom na dva načina: u obliku 20 izmjenjujućih (Ge:SiO2) + (SiO2) slojeva (debljine: 7+7 nm), i u obliku jednog homogenog nanosa. Izlučivanje i morfologija Ge-nanokristala u SiO2 okružju istraživano je analizom GISAXS (Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering) i GIXRD (Grazing Incidence X-Ray Diffraction) spektara, ovisno o načinu priređivanja i temperaturi dozrijevanja Ta (od sobne do 900°C). Ustanovljeno je da SiO2 sloj između (Ge:SiO2) slojeva kod višeslojnog, za razliku od homogenog filma, transformira 3D prostorno uređenje Ge-nanokristala u 2D uređenje unutar svakog (Ge:SiO2) sloja, te utječe na konačnu morfologiju Ge-nanokristala. 2D GISAXS spektri daju period višeslojne strukture filmova, te srednju veličinu i udaljenost između Ge-nanokristala, a analizom GIXRD spektara određena je temperatura TCP na kojoj počinje izlučivanje i kristalizacija germanija. Kratkodosežno korelirani kugloidni Ge-nanokristali veličine oko 7-12 nm, izlučuju se dozrijevanjem na Ta=700– 800°C bez obzira na način priređivanja filma. Također su uspoređena dva pristupa analizi 1D GISAXS spektara: tradicionalni - pomoću Guinierove aproksimacije, s modelnim - koji se temelji na prilagodbi spektra u cijelom q području.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika



POVEZANOST RADA


Projekti:
035-0352843-2844 - Veza strukturnih i fizikalnih svojstava materijala kontrolirane dimenzionalnosti (Milat, Ognjen, MZOS ) ( CroRIS)
098-0982886-2866 - Temeljna svojstva nanostruktura i defekata u poluvodičima i dielektricima (Pivac, Branko, MZOS ) ( CroRIS)
098-0982886-2895 - Novi amorfni i nanostrukturirani tankoslojni materijali (Radić, Nikola, MZOS ) ( CroRIS)

Ustanove:
Institut za fiziku, Zagreb,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb

Profili:

Avatar Url Nikola Radić (autor)

Avatar Url Ognjen Milat (autor)

Avatar Url Uroš Desnica (autor)

Avatar Url Pavo Dubček (autor)

Avatar Url Maja Mičetić (autor)

Avatar Url Krešimir Salamon (autor)


Citiraj ovu publikaciju:

Salamon, Krešimir; Milat, Ognjen; Buljan, Maja; Desnica, Uroš V.; Radić, Nikola; Dubček, Pavo; Bernstorff, Sigrid
KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA // 15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika, ZBORNIK SAŽETAKA / Radić, Nikola ; Capan, Ivana (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2008. str. 19-19 (poster, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
Salamon, K., Milat, O., Buljan, M., Desnica, U., Radić, N., Dubček, P. & Bernstorff, S. (2008) KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VIŠESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA. U: Radić, N. & Capan, I. (ur.)15. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika, ZBORNIK SAŽETAKA.
@article{article, author = {Salamon, Kre\v{s}imir and Milat, Ognjen and Buljan, Maja and Desnica, Uro\v{s} V. and Radi\'{c}, Nikola and Dub\v{c}ek, Pavo and Bernstorff, Sigrid}, year = {2008}, pages = {19-19}, keywords = {Ge-nanokristali, tanki film, kinetika, morfologija}, isbn = {953-98154-2-7}, title = {KINETIKA I MORFOLOGIJA Ge-NANOKRISTALA U (Ge:SiO2) VI\v{S}ESLOJNIM I JEDNOSLOJNIM TANKIM FILMOVIMA}, keyword = {Ge-nanokristali, tanki film, kinetika, morfologija}, publisher = {Hrvatsko Vakuumsko Dru\v{s}tvo (HVD)}, publisherplace = {Vara\v{z}din, Hrvatska} }
@article{article, author = {Salamon, Kre\v{s}imir and Milat, Ognjen and Buljan, Maja and Desnica, Uro\v{s} V. and Radi\'{c}, Nikola and Dub\v{c}ek, Pavo and Bernstorff, Sigrid}, year = {2008}, pages = {19-19}, keywords = {Ge-nanocrystals, thin film, kinetics, morphology}, isbn = {953-98154-2-7}, title = {Kinetics and morphology of Ge-nanocrystals embedded into (Ge:SiO2) multi- and monolayered thin films}, keyword = {Ge-nanocrystals, thin film, kinetics, morphology}, publisher = {Hrvatsko Vakuumsko Dru\v{s}tvo (HVD)}, publisherplace = {Vara\v{z}din, Hrvatska} }




Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font