Naslov
Modeliranje i optimizacija vertikalnog potpuno osiromašenog MOSFET-a u tehnologiji Silicija ni na čemu
(Modeling and Optimization of the Vertical Fully-Depleted Silicon-on-Nothing MOSFET)

Autori
Sviličić, Boris

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
14.05

Godina
2008

Stranica
147

Mentor
Biljanović, Petar

Neposredni voditelj
Amon, Slavko

Ključne riječi
silicij ni na čemu; potpuno osiromašeni MOSFET; vertikalni SONFET; kompaktni model; 2D model; napon praga; nagib u području ispod napona praga; sniženje barijere izazvano odvodom
(Silicon-on-Nothing; fully-depleted MOSFET; vertical SONFET; compact model; 2D model; treshold voltage; subtreshold slope; DIBL)

Sažetak
Kapacitivno-naponske karakteristike VFD SONFET strukture su u svim područjima rada- akumulaciji, osiromašenju i inverziji. Kompaktni i 2D modeli kritičnih parametara VFD SONFET strukture u području ispod napona praga su razvijeni. Provjera ispravnosti analitičkih modela provedena je usporedbama s Medici simulacijama na velikom broju različitih tranzistorskih struktura. Optimizacija VFD SONFET strukture provedena je i na temelju detaljne analize utjecaja tehnoloških parametara. Za strukture dugog i kratkog kanala uspoređeni su kompaktni modeli s 2D modelima, te su analizirana ograničenja pojednih modela. Kompaktni model lateralne SONFET strukture uspoređen je s modelom VFD SONFET strukture te su istaknute prednosti vertikalne strukture.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA