Naslov
Studij ozadja v Ramanskih spektrih a-Si:H
(Study of background signal in Raman spectra of a-Si:H)

Autori
Ivanda, Mile ; Gracin, Davor ; Lugomer, Stjepan ; Furić, Krešimir ; Gamulin, Ozren ;

Izvornik
Vakuumist (0351-9716) 14 (1994), 1; 24-26

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u časopisima, članak, znanstveni

Ključne riječi
Raman study

Sažetak
Gostota fononskih stanj v steklastih materialih je vefiko večja od vrednostl, ki bi jo pričakovali na osnovi Debyejevega modela. Ena od pojavnih oblik tega presežka vibracijskih stanj je ti. “bozonsko ozadje” v nizkofrekvenčnem delu ramanskega spektra. V tem delu bomo predstavili sistematično študjo ozadja v ramanskem spektru hidrogeniziranega amortnega silicija (a-Si:H). To “bozonsko ozadje” ni bilo doslej opaženo še v nobeni računalniški imulaciji fononske gostote stanj in ramanskih spektrov. Dobljenl depolarizacijski spekter in frekvenčna odvisoost signala kažeta na možnost ramanskega sipanja na fraktalni struktuti, kar je v skladu z dosedanjimi teorijskimi raziskavami, ki dopuščajo možnost fraktalne rasti amorfnega silicija. Za razlago narave signala smo uporabili teorijo ramanskega sipanja na fraktalnih strukturah. lzkazalo se je, da je teorija v skladu z eksperimentalnimi vrednostmi. Le majhno korelacijsko dolžino fraktalov (- 0.6 mm) je teško pojasniti. Razložimo jo lahkoo s fraktalnostjo konstante sire oz. s fraktalno strukturo energljskih stanj Si atoma v konfiguracijskem prostoru. S študijem povezave koncentracije vezanega ogjika in vodika, smo ugotovil, da se intenzilteta signala ozadja povečuje veliko hitreje s koncentracijo ogjika kot s koncantracijo vodika, kar po fraktalni interpretaciji lahko povežemo z relativno večjiml notranjimi deformacijami, ki jih povzroči vezava ogljika.

Izvorni jezik
Slv

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA