Naslov
Utjecaj kvantnih efekata na karakteristike ekstremno skaliranih MOS tranzistora
(Influence of quantum effects on the characteristics of extremely scaled MOS transistors)

Autori
Poljak, Mirko

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad

Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva

Mjesto
Zagreb

Datum
17.05

Godina
2007

Stranica
95

Mentor
Biljanović, Petar

Ključne riječi
kvantni efekti; 2D simulacije; DG MOSFET; FinFET
(quantum effects; 2D simulation; DG MOSFET; FinFET)

Sažetak
MOS tranzistori efektivne duljine kanala od samo 20 nanometara pojavit će se već 2009. godine, prema predviđanjima ITRS-a (International Technology Roadmap for Semiconductors). U ovakvim ekstremno skaliranim strukturama značajan će utjecaj imati kvantni efekti. Analitičkim metodama je pokazano da kvantno ograničenje u smjeru okomitom na granicu silicij – silicij-dioksid u konvencionalnim MOS tranzistorima uzrokuje diskretizaciju energije elektrona i njihov odmak od oksida. Ovo uzrokuje značajno povećanje napona praga i smanjenje struje odvoda. U ekstremno skaliranim MOS tranzistorima s dvostrukom upravljačkom elektrodom kvantni model treba se primijeniti i u lateralnom smjeru. Lateralni kvantni efekti dodatno povećavaju napon praga i smanjuju struju odvoda, ali u puno manjoj mjeri nego transverzalni. Unatoč ekstremnom skaliranju i utjecaju kvantnih efekata, strujno-naponske karakteristike tranzistora su oblikom klasične što otvara mogućnost modifikacije postojećih klasičnih modela tranzistora.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Elektrotehnika

POVEZANOST RADA