Pregled bibliografske jedinice broj: 300756
Proučavanje radijacijskih defekata u polikristaliničnom siliciju
Proučavanje radijacijskih defekata u polikristaliničnom siliciju, 2007., diplomski rad, Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
CROSBI ID: 300756 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Proučavanje radijacijskih defekata u polikristaliničnom siliciju
(Study of radiation defects in polycrystalline silicon)
Autori
Slunjski, Robert
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad
Fakultet
Prirodoslovno-matematički fakultet
Mjesto
Zagreb
Datum
27.03
Godina
2007
Stranica
59
Mentor
Pivac, Branko
Neposredni voditelj
Tonejc, Antun
Ključne riječi
silicij; defekti; radijacioni defekti; DLTS
(silicon; defects; radiation defects; DLTS)
Sažetak
Proučavani su defekti uvedeni ozračivanjem 1 MeV protonskim snopom u polikristalinični silicij tipa EFG. Istraživana je interakcija defekata uvedenih zračenjem s prisutnim strukturnim defektima.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
POVEZANOST RADA
Projekti:
098-0982886-2866 - Temeljna svojstva nanostruktura i defekata u poluvodičima i dielektricima (Pivac, Branko, MZOS ) ( CroRIS)
119-0982886-1009 - Struktura i svojstva posebnih nanomaterijala dobivenih suvremenim tehnikama (Tonejc, Antun, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb,
Prirodoslovno-matematički fakultet, Zagreb
