Pregled bibliografske jedinice broj: 274026
Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers
Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers // Zbornik sažetaka 13. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika / Radić, Nikola (ur.).
Zagreb: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2006. str. 18-18 (poster, domaća recenzija, sažetak, znanstveni)
CROSBI ID: 274026 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers
Autori
Capan, Ivana ; Dubček, Pavo ; Duguay, S. ; Zorc, Hrvoje ; Radić, Nikola ; Pivac, Branko ; Slaoui, A. ; Bernstorff, S.
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, znanstveni
Izvornik
Zbornik sažetaka 13. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
/ Radić, Nikola - Zagreb : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2006, 18-18
Skup
13. Međunarodni sastanak Vakuumska znanost i tehnika
Mjesto i datum
Koprivnica, Hrvatska, 13.06.2006
Vrsta sudjelovanja
Poster
Vrsta recenzije
Domaća recenzija
Ključne riječi
silicon; nanoparticles; multilayers
Sažetak
We present a study on amorphous SiO/SiO2 superlattice using grazing-incidence small-angle X-ray scattering (GISAXS). Amorphous SiO/SiO2 superlattices were prepared by high vacuum evaporation of 3 nm thin films of SiO and SiO2 (10 layers each) on Si(100) substrate. After the evaporation, samples were annealed at 1100  C for 1h in vacuum, yielding to Si nanocrystals formation. Using a Guinier approximation, the shape and the size of the crystals were obtained. The size of the growing nanoparticles in the direction perpendicular to the film surface is well controlled by the bilayer thickness. However, their size varies more significantly in the direction parallel to the film surface.
Izvorni jezik
Engleski
Znanstvena područja
Fizika
