Pregled bibliografske jedinice broj: 268057
Silicij karbid (SiC)
Silicij karbid (SiC), 2005., diplomski rad, Elektrotehnički fakultet, Osijek
CROSBI ID: 268057 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Silicij karbid (SiC)
(Silicon carbide (SiC))
Autori
Ergotić, Marko
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad
Fakultet
Elektrotehnički fakultet
Mjesto
Osijek
Datum
26.01
Godina
2005
Stranica
57
Mentor
Švedek, Tomislav
Ključne riječi
SiC; poluvodič; PN-spoj
(SiC; semiconductor; PN-junction)
Sažetak
Ovaj rad opisuje fizikalne značajke silicij karbid poluvodiča, te njegove prednosti i nedostatke u odnosu na poluvodiče koji se danas primjenjuju u elektronici. Opisuju se tehnologije izrade SiC poluvodičkih pločica i komponenata. Također se opisuje i trenutno stanje razvoja SiC komponenata i sklopova, te njihova moguća primjena u raznim područijima aplikacija elektronike.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Projekti:
0165112 - Digitalna radiodifuzija u frekvencijskim opsezima ispod 30 MHz (Švedek, Tomislav, MZOS ) ( CroRIS)
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike, računarstva i informacijskih tehnologija Osijek
Profili:
Tomislav Švedek
(mentor)