Pregled bibliografske jedinice broj: 265417
Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom
Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom, 2006., diplomski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
CROSBI ID: 265417 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Karakterizacija polisilicijskih slojeva dobivenih LPCVD postupkom
(Characterization of polysilicon layers obtained by LPCVD)
Autori
Žonja, Sanja
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, diplomski rad
Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Mjesto
Zagreb
Datum
21.09
Godina
2006
Stranica
99
Mentor
Biljanović, Petar ; Ivanda, Mile
Ključne riječi
polisilicij; silicijev dioksid; polisilicijski termički element; LPCVD (kemijska depozicija iz parne faze pri sniženom tlaku); termička oksidacija; ramanova spektroskopija; infracrvena spektroskopija; veličina zrna; debljina uzorka; boja uzorka
(polysilicon; silicon dioxide; polysilicon thermal element; LPCVD (Low Pressure Chemical Vapour Deposition); thermal oxidation; Raman spectroscopy; Infrared spectroscopy; grain size; sample thickness; sample colour)
Sažetak
U ovom radu prikazani su načini dobivanja tankih slojeva polisilicija i silicijevog dioksida te metode određivanja njihovih svojstava u svrhu dobivanja polisilicijskog termičkog elementa. Dobiveni slojevi silicijevog dioksida su homogeni s minimalnim brojem defekata. Eksperimentalno je određena temperatura za optimalan rast polisilicijskih slojeva te je na toj temperaturi vršeno dopiranje s borom da bi se dobio određeni slojni otpor uzoraka.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika, Elektrotehnika
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb,
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb