Pregled bibliografske jedinice broj: 264061
Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu
Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu, 2006., magistarski rad, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb
CROSBI ID: 264061 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Analiza vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu
(Analyze of vertical MOS transistor in silicon-on-nothing technology)
Autori
Perić, Mario
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, magistarski rad
Fakultet
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Mjesto
Zagreb
Datum
27.04
Godina
2006
Stranica
89
Mentor
Biljanović, Petar
Ključne riječi
silicij ni na čemu SON; silicij na izolatoru SOI; napon praga; ukopani oksidni sloj; kratki kanal; uski kanal; skaliranje
(silicon on nothing SON; silicon on insulator SOI; threshold voltage; buried oxide layer BOX; short channel; narrow channel; scaling)
Sažetak
U radu je prikazan kratki opis tehnologije silicija na izolatoru, prednosti te strukture i problemi prilikom skaliranja. Ta struktura zajedno sa strukturom silicija ni na čemu poslužiti će nam u razumijevanju strukture vertikalnog MOS tranzistora u tehnologiji silicija ni na čemu. Prikazati ćemo različite tehnološke izvedbe te strukture, optimizirati geometrijske i topološke dimenzije. Pomoću dvodimenzionalnog 2D simulatora MEDICI izvršena analizu je i povezanost tehnološke parametre i karakteristike SONFET-a te modeliranje i ekstrakcija električkih parametara.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Elektrotehnika
