Pregled bibliografske jedinice broj: 250604
Amorfno-nanokristalinični tanki film silicija kao potencijalni materijal za solarne ćelije treće generacije
Amorfno-nanokristalinični tanki film silicija kao potencijalni materijal za solarne ćelije treće generacije // Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak / Nikola, Radić (ur.).
Koprivnica: Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2006. str. 9-9 (predavanje, nije recenziran, sažetak, ostalo)
CROSBI ID: 250604 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca
Naslov
Amorfno-nanokristalinični tanki film silicija kao potencijalni materijal za solarne ćelije treće generacije
(Amorphous-Nanochrystal Thin Films Made of Silica as Potencial Candidate for 3^rd Generation Solar Cells)
Autori
Gracin, Davor ; Juraić, Krunoslav ; Gajović, Andreja ; Bogdanović-Radović, Iva
Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Sažeci sa skupova, sažetak, ostalo
Izvornik
Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak
/ Nikola, Radić - Koprivnica : Hrvatsko Vakuumsko Društvo (HVD), 2006, 9-9
Skup
Vakuumska znanost i tehnika. 13. međunarodni sastanak
Mjesto i datum
Koprivnica, Hrvatska, 13.06.2006
Vrsta sudjelovanja
Predavanje
Vrsta recenzije
Nije recenziran
Ključne riječi
solarna ćelija; silicij; amorfno; nanokristalinično
(sollar cell; silica; amorphous; nanochrystal)
Sažetak
U posljednjih nekoliko dekada učestale krize oko vitalnih energenata kao što su nafta i zemni plin uzrokovale su intenziviranje znanstvenih i razvojnih aktivnosti u korištenju obnovljivih izvora energije, posebice fotonaponskih ćelija. Jedan od rezultata teoretskih razmatranja na tom polju je mogućnost korištenja višekomponentnih materijala za ćelije vrlo visoke efikasnosti nazvane solarne ćelije treće generacije. Za ovakve materijale je karakteristično postojanje više faza sa različitim vrijednostima optičkog gepa unutar pojedine faze a jedan od potencijalnih kandidata je mješavina amorfnog i nanokristaliničnog silicija. U pokušaju eksperimentalne potvrde ovih teorijskih razmatranja, deponiran je veći broj tanki filmova silicija, debljina od 100 - 1000 nm plazmom pojačanom kemijskom depozicijom iz plinske faze (PECVD). Variranjem parametara rasta napravljeni su slojevi različitog stupnja uređenja koje se određivalo korištenjem Ramanove spektroskopije, elektronske mikroskopije visoke rezolucije, nuklearnim metodama i analizom spektralne ovisnosti dielektrične funkcije uz korištenje aproksimacije efektivnog medija. Dobiveni rezultati će biti diskutirani u smislu ocjene upotrebljivosti dobivenih slojeva u potencijalnim solarnim ćelijama.
Izvorni jezik
Hrvatski
Znanstvena područja
Fizika
Napomena
Kontakt adresa: Institut Ruđer Bošković, Zagreb, Bijenička 54, Hrvatska
POVEZANOST RADA
Ustanove:
Institut "Ruđer Bošković", Zagreb
