Pretraga

Pretražite po imenu i prezimenu autora, mentora, urednika, prevoditelja

Napredna pretraga

Pregled bibliografske jedinice broj: 249938

Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs

Grgec, Dalibor
Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs // Proceedings of MIPRO 2006 / Biljanović, Skala (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2006. str. 72-75 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)

CROSBI ID: 249938 Za ispravke kontaktirajte CROSBI podršku putem web obrasca

Naslov
Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs

Autori
Grgec, Dalibor

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Radovi u zbornicima skupova, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni

Izvornik
Proceedings of MIPRO 2006 / Biljanović, Skala - Rijeka : Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2006, 72-75

Skup
29th International Convention, MIPRO 2006

Mjesto i datum
Opatija, Hrvatska, 22.05.2006. - 26.05.2006

Vrsta sudjelovanja
Predavanje

Vrsta recenzije
Međunarodna recenzija

Ključne riječi
MOSFET; short channel effect; device simulation model; drift-diffusion; hydrodynamic; Monte-Carlo

Sažetak
The downscaling of MOS transistors has already reached the nanometer scales, with channel lengths of few tens of nanometers. Due to higher order physical effects, the accuracy of classical numerical device simulation models ; Drift- Diffusion (DD) and Hydrodynamic (HD) is questionable for nanometer scale MOSFETs. Full Band Monte-Carlo (MC) Device Simulation can serve as a physical reference for accessing the HD, DD modeling accuracy by comparing the modeling results. In this paper, a comparison of three consistent simulation models (DD, HD, MC) is presented on the basis of well-tempered bulk-Si nMOSFETs structures.

Izvorni jezik
Engleski

Znanstvena područja
Elektrotehnika



POVEZANOST RADA

Projekti:
0036001

Ustanove:
Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb

Profili:

Avatar Url Dalibor Grgec (autor)

Citiraj ovu publikaciju:

Grgec, Dalibor
Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs // Proceedings of MIPRO 2006 / Biljanović, Skala (ur.).
Rijeka: Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO, 2006. str. 72-75 (predavanje, međunarodna recenzija, cjeloviti rad (in extenso), znanstveni)
Grgec, D. (2006) Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs. U: Biljanović, S. (ur.)Proceedings of MIPRO 2006.
@article{article, author = {Grgec, Dalibor}, editor = {Biljanovi\'{c}, S.}, year = {2006}, pages = {72-75}, keywords = {MOSFET, short channel effect, device simulation model, drift-diffusion, hydrodynamic, Monte-Carlo}, title = {Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs}, keyword = {MOSFET, short channel effect, device simulation model, drift-diffusion, hydrodynamic, Monte-Carlo}, publisher = {Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO}, publisherplace = {Opatija, Hrvatska} }
@article{article, author = {Grgec, Dalibor}, editor = {Biljanovi\'{c}, S.}, year = {2006}, pages = {72-75}, keywords = {MOSFET, short channel effect, device simulation model, drift-diffusion, hydrodynamic, Monte-Carlo}, title = {Comparison of Semiconductor Simulation Models on the Basis of Well-Tempered nMOSFETs}, keyword = {MOSFET, short channel effect, device simulation model, drift-diffusion, hydrodynamic, Monte-Carlo}, publisher = {Hrvatska udruga za informacijsku i komunikacijsku tehnologiju, elektroniku i mikroelektroniku - MIPRO}, publisherplace = {Opatija, Hrvatska} }

Podijeli:





Contrast
Increase Font
Decrease Font
Dyslexic Font
CROSBI koristi kolačiće (cookies) kako bi poboljšao funkcionalnost stranice.