Naslov
Svojstva visokootpornog galijeva arsenida: Analiza utjecaja defekata s dubokim nivoima
(Properties of semiinsulating GaAs: Analysis of defects with deep levels)

Autori
Pavlović, Mladen

Vrsta, podvrsta i kategorija rada
Ocjenski radovi, doktorska disertacija

Fakultet
PMF

Mjesto
Zagreb

Datum
09.10

Godina
1998

Stranica
101

Mentor
Desnica, Uroš

Neposredni voditelj
Desnica, Uroš

Ključne riječi
GaAs; visokootporni; defekti; duboki nivoi; zamke
(Semiinsulating GaAs; defects; deep levels; traps)

Sažetak
U ovom je radu prikazana nova analitička metoda-SIMPA (Simultaneous Multiple Peak Analysis) koja omogućuje istovremenu i potpunu karakterizaciju svih dubokih zamki prisutnih u materijalu i to na osnovu mjerenja termički stimuliranih struja (TSC). Ovom metodom rješavamo niz problema u karakterizaciji klasičnim metodama. U kombinaciji s mjerenjima fotostruje i njene temperaturne ovisnosti Ipc(T) prop. tau(T), mogu se izračunati relativne i apsolutne koncentracije zamki. U ovom radu prikazani su i rezultati TSC mjerenja dobiveni na velikom broju različitih nedopiranih SI LEC GaAs uzoraka nastalih u vremenu od kasnih osamdesetih pa sve do današnjih dana, a dobiveni su od desetak različitih proizvodjača. TSC spektri su analizirani SIMPA-om. Pokazano je da se svi izmjereni TSC spektri, iako drastično različiti mogu "fitati" teorijskom funkcijom koja sadrži parametre ograničenog skupa od najviše 11 različitih zamki. Usporedjivanjem različitih uzoraka vidljiv je značajan napredak u proizvodnji SI GaAs u navedenom periodu. Koncentracije pojedinih defekata smanjene su za čak 4 reda veličine. Uniformnost raspodjela defekata duž istog i medju različitim "waferima" bitno je popravljena. TSC spektri, ranije bitno različiti postali su vrlo slični i uniformniji. To ukazuje da je procedura rasta kristala, kao i termička obrada poslije toga postala vrlo ujednačena i standardizirana. Takodjer je opisano i mjerenje tranzijenata optičke apsorpcije na visokootpornom GaAs u infracrvenom podrucju. Prikazan je model za ponašanje centra EL2 priliko osvjetljavanja. Dobiveno je vrlo dobro slaganje eksperimentalnih i teorijskih rezultata u kvalitativnom smislu. Usporedbom teorijskih i eksperimentalnih rezultata omogućena je procjena početne popunjenosti nivoa EL2. U ovom radu dan je i model koji povezuje ponašanje tranzijenata fotovodljivosti u SI GaAs na niskoj temperaturi sa nadjenim i karakteriziranim dubokim nivoima i njihovim popunjenostima. Prikazani su rezultati numeričkog rješavanja pripadnog sustava vezanih diferencijalnih jednadžbi. Za sve primjenjene energije fotona slaganje mjerenih i simuliranih tranzijenata je vrlo dobro.

Izvorni jezik
Hrvatski

Znanstvena područja
Fizika

POVEZANOST RADA